Електричні параметри елементів інтегральних схем в умовах дії радіації
Теоретичні методи дослідження структури матеріалів та електрофізичних характеристик елементів інтегральних схем при дії рентгенівського, гама та нейтронного випромінювання. Засоби підвищення радіаційної стійкості елементів твердотільної електроніки.
Подобные документы
Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Визначення класу задач обробки зображень, які ефективно реалізуються на секціонованих оптоелектронних інтегральних схемах. Формування вимоги до топологічних розмірів елементів оптоелектронних інтегральних схем оброблення та передавання зображень.
автореферат, добавлен 24.02.2014Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Аналіз методики верифікації інтегральних мікросхем на прикладі елементів пам’яті з використанням тестів. Залежність часу надійної експлуатації інтегральних мікросхем радіотехнічних пристроїв від умов їх експлуатації, стану поверхні кремнієвого чипу.
статья, добавлен 26.01.2017Обробка сигналів цифровими методами. Використання цифрових інтегральних схем при розробці будильника на мікроконтролері. Структурна схема пристрою, алгоритми роботи його прикладної програми. Компоновка елементів на друкованій платі, розробка її топології.
курсовая работа, добавлен 06.12.2017Класичні вимірювальні засоби температури. Принципи побудови приборів термометрії на основі оптичного сигналу. Розробка рідкокристалічних аналогових пристроїв відображення вимірюваної інформації. Характеристики сучасних термосенсорних інтегральних схем.
автореферат, добавлен 22.06.2014Схема базового елемента діодно-транзисторної логіки. Вихідні дані для розробки та розрахунків топології інтегральної мікросхеми. Топологія активних елементів. Технологічні процеси виготовлення інтегральних схем. Метод повної діелектричної ізоляції.
контрольная работа, добавлен 14.05.2014Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014Ефективність сучасних ІВС для оперативного моніторингу водного середовища. Методи побудови автоматизованих акустичних систем. Дослідження засад підвищення точності визначення інтегральних параметрів середовища в умовах дії інтенсивних завад і шумів.
автореферат, добавлен 25.06.2014Розробка принципів побудови інтегральних, гібридних та хвилеводних фазообертачів з використанням діелектричних матеріалів, методи їх розрахунку та п’єзоелектричне керування. Особливості вимірювання електрофізичних параметрів тонких діелектричних плівок.
автореферат, добавлен 13.07.2014Пристрої, які формують на виході або напругу протилежної полярності при практично рівних абсолютних значеннях, або напругу однієї полярності. Схема порівняння операційного підсилювача. Використання інтегральних схем. Еквівалентні моделі компараторів.
статья, добавлен 29.06.2016Аналіз стану розвитку аналогових твердотільних інтегральних схем для сенсорної техніки. Алгоритм дослідження впливу механічних компонентів конструкції сенсорних пристроїв на їх параметри. Розподіл світлового потоку між фотоелементами акселерометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Мінімізація часу виходу на ринок цифрових систем. Синтез тестів для діагностування й локалізації несправностей надвеликих інтегральних схем. Конфігурування мікросхем пам’яті за замовленням користувача. Розпаралелювання мікрооперацій у мультипроцесорах.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Оптимізація структури елементів і пристроїв обчислювальної техніки на основі спільного використання класичного і альтернативних форм проектування. Розробка засобів оптимізації цифрових блоків на основі ізоморфізму логічних та кусково-постійних функцій.
автореферат, добавлен 22.06.2014Удосконалення оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі нових науково-технічних рішень і розробці нових типів інжекційних фотодіодів. Аналіз методу підвищення фоточутливості діодів шляхом реалізації інжекційного підсилення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження та визначення перспектив розвитку вакуумного та твердотільного чутливих елементів у рентгенівських телевізійних системах неруйнівного контролю. Розробка цифрової нелінійної моделі генерації випромінювання імпульсними рентгенівськими трубками.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз процесу перетворення оптичного опромінювання в електричні сигнали. Пристрої обробки інформації. Дослідження транзисторних комбінованих елементів і пристроїв автоматики. Коефіцієнти максимально-досяжного підсилення потужності та стійкості УПІ.
автореферат, добавлен 10.09.2014Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання.
статья, добавлен 27.02.2016Налаштування геометричних та електрофізичних параметрів мікросмужкових резонаторів на їх резонансну частоту, власну добротність та коефіцієнт зв’язку резонатора з лінією. Моделі мікросмужкових резонансних елементів, які спрощують розрахунок характеристик.
автореферат, добавлен 02.10.2018Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016- 25. Розробка та дослідження структурних методів та засобів побудови тестопридатних цифрових пристроїв
Аналіз тестопридатності цифрових схем, заснованих на застосуванні функціональних елементів. Поняття комбінаційних структур, що реалізують булеві функції. Архітектура діагностичних комплексів та функціональний склад прикладного програмного забезпечення.
автореферат, добавлен 07.08.2014