Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
Подобные документы
Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Принцип квантования и условия наблюдения квантовых размерных эффектов. Структуры с двумерным, одномерным (квантовые нити) и с нуль-мерным (квантовые точки) электронным газом. Технология квантово-размерных структур. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии.
реферат, добавлен 03.05.2019Увеличение времени когерентного состояния при комнатных температурах использованием квантовых точек внутри монокристаллической структуры с большой шириной запрещенной зоны. Особенности использования широкозонных прямозонных бездефектных материалов.
статья, добавлен 28.02.2017Исследование особенностей углеродных нанотрубок. Изучение их структуры. Анализ способов обозначения хиральности. Электронные устройства на основе углеродных наноструктур. Рассмотрение аспектов схематического изображения фотодетектора на основе графена.
реферат, добавлен 23.05.2015Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.
реферат, добавлен 19.05.2017Исследование возможных наноструктур Джозефсона, технологий их получения. Разработка технологии получения качественного и хорошо воспроизводимого в промышленности перехода Джозефсона. Анализ существующих технологий получения наноструктур Джозефсона.
статья, добавлен 01.02.2019Описание измерительного комплекса для исследования наноструктур на базе рентгеновского рефлектометра. Спектр аналитических возможностей измерительного комплекса. Проведение рефлектометрического исследования многослойной периодической наноструктуры.
статья, добавлен 13.11.2018Изучение стабильных структур новых углеродных наноматериалов. Геометрия углеродных наноструктур и их механические и тепловые характеристики при постоянной температуре. Исследование их свойств и принципы применения в наноэлектронике и наномеханике.
автореферат, добавлен 29.10.2018Закономерности отношения связанных нанообъектов и влияния на такие системы внешних полей. Особенности и принципы взаимодействия электромагнитного излучения с материалами, содержащими наночастицы разных классов, которые различаются по составу и размерам.
автореферат, добавлен 15.02.2018Твердые растворы полупроводниковых соединений, их свойства и область их применения. Зависимость запрещенной зоны твердых растворов от их состава. Полупроводниковые соединения, состоящие из двух элементов, признаки образования твердого раствора.
реферат, добавлен 18.05.2009Методика получения наноуглеродных структур. Анализ результатов экспериментальных исследований влияния добавок наноструктур графита на коэффициент отражения и поляризационные характеристики терморегулирующих покрытий класса "истинные поглотители".
статья, добавлен 30.11.2018Построение трехмерных математических моделей. Изучение сверхпроводящих и магнитных состояний двухслойных и трехслойных наноструктур, полученных чередованием слоев ферромагнитного металла и сверхпроводника. Оценка использования трехслойных наноструктур.
автореферат, добавлен 28.03.2018Методи отримання магнітних наноструктур та їх класифікація. Використання методу термічного випаровування у вакуумі для отримання магнітних наночастинок. Механізми перемагнічування однодоменних часток. Методи дослідження тимчасових магнітних ефектів.
презентация, добавлен 09.05.2015Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
дипломная работа, добавлен 12.11.2014Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Изучение посредством рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии свойств наноструктур ZnO, полученных методом импульсного электрохимического осаждения. Влияние состава электролита и длительности импульсного электроосаждения на их морфологию.
статья, добавлен 23.12.2016Перевірка можливості формування наноструктур під час дії заданої кількості потоків електронів. Ерозійна дія потоків моноенергетичних електронів на чисті метали і сплави при нормальному й відмінному від нього кутах падіння потоку на поверхню деталі.
автореферат, добавлен 13.08.2015Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Моделирование туннельного тока в металл-оксид-полупроводниковых транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. Влияние затворного и стокового напряжения, толщины туннельного окисла транзистора на распределение плотности туннельного тока.
статья, добавлен 21.06.2018Зависимости, определяющие фазовые и структурно-фазовые превращения вещества в процессе однородного нагрева цилиндрического проводника мощным импульсом тока. Параметры синтеза углеродных наноструктур. Траектории углерода для разных режимов электровзрыва.
статья, добавлен 29.09.2016Изучение строения объемных образцов наноструктурных материалов. Технологии осаждения тонкопленочного вещества на подложку из парогазовой фазы, плазмы. Исследование особенностей металлических нанопроводников. Установки для молекулярно-лучевой эпитаксии.
лекция, добавлен 05.05.2015Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Разработка инновационного подхода для преобразования наноразмерной механической энергии в электрическую энергию массивами пьезоэлектрических нанопроволок оксида цинка. Возможные виды конфигураций контакта между нанопроволкой и зигзагообразным электродом.
презентация, добавлен 12.08.2015Технология нанесения коллоидных квантовых точек в относительно толстые слои на стеклянной подложке. Экспериментальные характеристики спектров фотолюминесценции. Плазменное отражение коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs на стеклянной подложке.
статья, добавлен 18.09.2018