Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями

Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.

Подобные документы

  • Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.

    книга, добавлен 07.08.2013

  • Принцип квантования и условия наблюдения квантовых размерных эффектов. Структуры с двумерным, одномерным (квантовые нити) и с нуль-мерным (квантовые точки) электронным газом. Технология квантово-размерных структур. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии.

    реферат, добавлен 03.05.2019

  • Увеличение времени когерентного состояния при комнатных температурах использованием квантовых точек внутри монокристаллической структуры с большой шириной запрещенной зоны. Особенности использования широкозонных прямозонных бездефектных материалов.

    статья, добавлен 28.02.2017

  • Исследование особенностей углеродных нанотрубок. Изучение их структуры. Анализ способов обозначения хиральности. Электронные устройства на основе углеродных наноструктур. Рассмотрение аспектов схематического изображения фотодетектора на основе графена.

    реферат, добавлен 23.05.2015

  • Использование технологий молекулярно-пучковой эпитаксии, реализация структур для полупроводниковой электроники. Выращивание тонких полупроводниковых плёнок. Вакуумное напыление веществ в виде молекулярных пучков. Квантовая монокристаллическая подложка.

    реферат, добавлен 19.05.2017

  • Исследование возможных наноструктур Джозефсона, технологий их получения. Разработка технологии получения качественного и хорошо воспроизводимого в промышленности перехода Джозефсона. Анализ существующих технологий получения наноструктур Джозефсона.

    статья, добавлен 01.02.2019

  • Описание измерительного комплекса для исследования наноструктур на базе рентгеновского рефлектометра. Спектр аналитических возможностей измерительного комплекса. Проведение рефлектометрического исследования многослойной периодической наноструктуры.

    статья, добавлен 13.11.2018

  • Изучение стабильных структур новых углеродных наноматериалов. Геометрия углеродных наноструктур и их механические и тепловые характеристики при постоянной температуре. Исследование их свойств и принципы применения в наноэлектронике и наномеханике.

    автореферат, добавлен 29.10.2018

  • Закономерности отношения связанных нанообъектов и влияния на такие системы внешних полей. Особенности и принципы взаимодействия электромагнитного излучения с материалами, содержащими наночастицы разных классов, которые различаются по составу и размерам.

    автореферат, добавлен 15.02.2018

  • Твердые растворы полупроводниковых соединений, их свойства и область их применения. Зависимость запрещенной зоны твердых растворов от их состава. Полупроводниковые соединения, состоящие из двух элементов, признаки образования твердого раствора.

    реферат, добавлен 18.05.2009

  • Методика получения наноуглеродных структур. Анализ результатов экспериментальных исследований влияния добавок наноструктур графита на коэффициент отражения и поляризационные характеристики терморегулирующих покрытий класса "истинные поглотители".

    статья, добавлен 30.11.2018

  • Построение трехмерных математических моделей. Изучение сверхпроводящих и магнитных состояний двухслойных и трехслойных наноструктур, полученных чередованием слоев ферромагнитного металла и сверхпроводника. Оценка использования трехслойных наноструктур.

    автореферат, добавлен 28.03.2018

  • Методи отримання магнітних наноструктур та їх класифікація. Використання методу термічного випаровування у вакуумі для отримання магнітних наночастинок. Механізми перемагнічування однодоменних часток. Методи дослідження тимчасових магнітних ефектів.

    презентация, добавлен 09.05.2015

  • Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.

    дипломная работа, добавлен 12.11.2014

  • Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.

    автореферат, добавлен 27.08.2014

  • Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.

    курсовая работа, добавлен 07.06.2011

  • Изучение посредством рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии свойств наноструктур ZnO, полученных методом импульсного электрохимического осаждения. Влияние состава электролита и длительности импульсного электроосаждения на их морфологию.

    статья, добавлен 23.12.2016

  • Перевірка можливості формування наноструктур під час дії заданої кількості потоків електронів. Ерозійна дія потоків моноенергетичних електронів на чисті метали і сплави при нормальному й відмінному від нього кутах падіння потоку на поверхню деталі.

    автореферат, добавлен 13.08.2015

  • Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.

    контрольная работа, добавлен 29.10.2010

  • Моделирование туннельного тока в металл-оксид-полупроводниковых транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. Влияние затворного и стокового напряжения, толщины туннельного окисла транзистора на распределение плотности туннельного тока.

    статья, добавлен 21.06.2018

  • Зависимости, определяющие фазовые и структурно-фазовые превращения вещества в процессе однородного нагрева цилиндрического проводника мощным импульсом тока. Параметры синтеза углеродных наноструктур. Траектории углерода для разных режимов электровзрыва.

    статья, добавлен 29.09.2016

  • Изучение строения объемных образцов наноструктурных материалов. Технологии осаждения тонкопленочного вещества на подложку из парогазовой фазы, плазмы. Исследование особенностей металлических нанопроводников. Установки для молекулярно-лучевой эпитаксии.

    лекция, добавлен 05.05.2015

  • Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.

    презентация, добавлен 23.06.2013

  • Разработка инновационного подхода для преобразования наноразмерной механической энергии в электрическую энергию массивами пьезоэлектрических нанопроволок оксида цинка. Возможные виды конфигураций контакта между нанопроволкой и зигзагообразным электродом.

    презентация, добавлен 12.08.2015

  • Технология нанесения коллоидных квантовых точек в относительно толстые слои на стеклянной подложке. Экспериментальные характеристики спектров фотолюминесценции. Плазменное отражение коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs на стеклянной подложке.

    статья, добавлен 18.09.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.