Дослідження елементів гібридно-плівкових інтегральних схем
Дослідження конструкції гібридно-плівкових інтегральних схем і мікрозбірок, взаємозв'язку характеристик матеріалів та геометрії тонкоплівкових елементів зі значенням їх експлуатаційних параметрів. Здійснення розрахунків поверхневого опору резисторів.
Подобные документы
Теоретичні методи дослідження структури матеріалів та електрофізичних характеристик елементів інтегральних схем при дії рентгенівського, гама та нейтронного випромінювання. Засоби підвищення радіаційної стійкості елементів твердотільної електроніки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Визначення класу задач обробки зображень, які ефективно реалізуються на секціонованих оптоелектронних інтегральних схемах. Формування вимоги до топологічних розмірів елементів оптоелектронних інтегральних схем оброблення та передавання зображень.
автореферат, добавлен 24.02.2014Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Розрахунок і розробка топології та конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури у виді гібридних інтегральних схем, а також технологічного маршруту їхнього виробництва відповідно до заданої в завданні принципової електричної схеми.
курсовая работа, добавлен 25.04.2012Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Проектування топології мікросхеми та вихідні дані. Проектування напівпровідникової мікросхеми та вибір конструкції активних елементів. Розрахунки пасивних елементів та площі кристалу, тонкоплівкових резисторів та особливості паразитних зв’язків.
курсовая работа, добавлен 08.09.2014Схема базового елемента діодно-транзисторної логіки. Вихідні дані для розробки та розрахунків топології інтегральної мікросхеми. Топологія активних елементів. Технологічні процеси виготовлення інтегральних схем. Метод повної діелектричної ізоляції.
контрольная работа, добавлен 14.05.2014Дослідження та розробка електронних схем для ємнісних сенсорів теплового розширення твердих тіл. Вплив зовнішніх факторів на стабільність тонкоплівкових мідних сенсорів температури. Методика виготовлення плівкового мідного термоперетворювача опору.
автореферат, добавлен 25.02.2015Аналіз методики верифікації інтегральних мікросхем на прикладі елементів пам’яті з використанням тестів. Залежність часу надійної експлуатації інтегральних мікросхем радіотехнічних пристроїв від умов їх експлуатації, стану поверхні кремнієвого чипу.
статья, добавлен 26.01.2017Аналіз стану розвитку аналогових твердотільних інтегральних схем для сенсорної техніки. Алгоритм дослідження впливу механічних компонентів конструкції сенсорних пристроїв на їх параметри. Розподіл світлового потоку між фотоелементами акселерометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Математична модель гібридно-дзеркальної антени з урахуванням поляризаційної структури поля, що сформовано решіткою спіралей поблизу головного дзеркала. Аналіз амплітудно-фазового розподілу складових щільності струму на поверхні великого дзеркала.
автореферат, добавлен 27.07.2014Обробка сигналів цифровими методами. Використання цифрових інтегральних схем при розробці будильника на мікроконтролері. Структурна схема пристрою, алгоритми роботи його прикладної програми. Компоновка елементів на друкованій платі, розробка її топології.
курсовая работа, добавлен 06.12.2017Ефективність сучасних ІВС для оперативного моніторингу водного середовища. Методи побудови автоматизованих акустичних систем. Дослідження засад підвищення точності визначення інтегральних параметрів середовища в умовах дії інтенсивних завад і шумів.
автореферат, добавлен 25.06.2014Пристрої, які формують на виході або напругу протилежної полярності при практично рівних абсолютних значеннях, або напругу однієї полярності. Схема порівняння операційного підсилювача. Використання інтегральних схем. Еквівалентні моделі компараторів.
статья, добавлен 29.06.2016Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження і порівняння різних варіантів базових схем біполярної інтегральної логіки. Передаточна характеристика при двох значеннях напруги джерела живлення і трьох значенням коефіцієнта розгалуження при зміні напруги на вході інтегрального елемента.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Методика та техніка експерименту: стандартна вакуумна установка ВУП-5М, метод термічного випарування, човники з молібденової фольги, диференційна хромель-алюмелева термопара. Електронно-мікроскопічні дослідження. Експериментальні результати.
статья, добавлен 30.10.2010- 20. Моделювання та оптимізація технологічного процесу виготовлення біполярних інтегральних мікросхем
Технології побудови формалізованої, математичної та комп'ютерної моделі технологічного процесу виготовлення біполярних інтегральних мікросхем. Аналіз результатів оптимізації цього процесу за критерієм мінімуму сумарних виробничих й експлуатаційних витрат.
статья, добавлен 29.09.2016 Розробка структурних схем модулятора цифрового лінійного тракту. Структурна схема каналу зв'язку. Аналіз алгоритму роботи кодексів у системах із завадостійким кодуванням. Схема квазіоптимальної системи передачі аналогових повідомлень цифровими методами.
курсовая работа, добавлен 23.08.2014Дослідження основних характеристик показників надійності радіоелектронних засобів. Аналіз математичних моделей для визначення параметрів теплового поля. Опис комплексного програмного модуля для розрахунків температур елементів електронної структури.
статья, добавлен 27.07.2016Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вакуумний метод отримання напiвпровiдникових плівок моносульфіду самарію. Електрофізичні властивості та рекомбінаційні параметри плівкових структур. Можливість управління метрологічними характеристиками тензорезистора за допомогою прикладеної напруги.
автореферат, добавлен 12.02.2014Математична модель rail-to-rail операційного підсилювача. Аналіз стабільності таких операційних підсилювачів в схемах ємнісних драйверів. Розробка та дослідження низки вузлів сигнальних перетворювачів мікроелектронних сенсорних пристроїв ємнісного типу.
автореферат, добавлен 25.07.2015