Дослідження активних елементів метал-діелектрик-напівпровідник інтегральних схем
Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
Подобные документы
Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013Дослідження конструкції гібридно-плівкових інтегральних схем і мікрозбірок, взаємозв'язку характеристик матеріалів та геометрії тонкоплівкових елементів зі значенням їх експлуатаційних параметрів. Здійснення розрахунків поверхневого опору резисторів.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Фiзичнi механізми функціонування інтегральних транзисторних i дiодних структур. Розрахунок i оптимiзацiя топології біполярних транзисторів з бар'єром Шотткi. Схема формувача потужних наносекундних iмпульсiв. Застосування товстоплiвкових резисторів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі низьких температур 4,2-77 К в полях з індукцією до 14 Тл. Осциляції Шубнікова-де-Гааза. Ефективна циклотронна маса електронів.
статья, добавлен 29.09.2016Визначення класу задач обробки зображень, які ефективно реалізуються на секціонованих оптоелектронних інтегральних схемах. Формування вимоги до топологічних розмірів елементів оптоелектронних інтегральних схем оброблення та передавання зображень.
автореферат, добавлен 24.02.2014Теоретичні методи дослідження структури матеріалів та електрофізичних характеристик елементів інтегральних схем при дії рентгенівського, гама та нейтронного випромінювання. Засоби підвищення радіаційної стійкості елементів твердотільної електроніки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Чисельне дослідження особливостей характеристик арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів транзисторів на його характеристики.
автореферат, добавлен 26.02.2015Схема базового елемента діодно-транзисторної логіки. Вихідні дані для розробки та розрахунків топології інтегральної мікросхеми. Топологія активних елементів. Технологічні процеси виготовлення інтегральних схем. Метод повної діелектричної ізоляції.
контрольная работа, добавлен 14.05.2014Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Конструкція, основні види польових транзисторів. Залежність електропровідності напівпровідників від виду домішок. Фізичні процеси в електронно-дірковому переході. ЕДП при зворотньому вмиканні зовнішньої напруги. Вольт-амперна характеристика р-n-переходу.
реферат, добавлен 25.12.2016Обробка сигналів цифровими методами. Використання цифрових інтегральних схем при розробці будильника на мікроконтролері. Структурна схема пристрою, алгоритми роботи його прикладної програми. Компоновка елементів на друкованій платі, розробка її топології.
курсовая работа, добавлен 06.12.2017Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що здатен підсилювати потужність. Оцінка співвідношення між складовими струму за допомогою коефіцієнта інжекції. Дослідження схеми вмикання транзистора зі спільним емітером.
учебное пособие, добавлен 16.07.2017Пристрої, які формують на виході або напругу протилежної полярності при практично рівних абсолютних значеннях, або напругу однієї полярності. Схема порівняння операційного підсилювача. Використання інтегральних схем. Еквівалентні моделі компараторів.
статья, добавлен 29.06.2016- 16. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Обмежувачі на діодах послідовного і паралельного типів. Біполярні транзистори та схеми вмикання і статичні характеристики біполярних транзисторів. Біполярний транзистор як активний чотирьохполюсник. Динамічні характеристики транзисторних ключів.
лекция, добавлен 26.03.2014Ефективність сучасних ІВС для оперативного моніторингу водного середовища. Методи побудови автоматизованих акустичних систем. Дослідження засад підвищення точності визначення інтегральних параметрів середовища в умовах дії інтенсивних завад і шумів.
автореферат, добавлен 25.06.2014Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Історія винаходу біполярного транзистора. Будова, принцип дії та класифікація. Позначення типу. Режими роботи: активний; інверсний; насичення; відсічки. Використання транзисторів в підсилювачах, генераторах, перетворювачах сигналу, логічних схемах.
реферат, добавлен 07.10.2019Аналіз стану розвитку аналогових твердотільних інтегральних схем для сенсорної техніки. Алгоритм дослідження впливу механічних компонентів конструкції сенсорних пристроїв на їх параметри. Розподіл світлового потоку між фотоелементами акселерометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Параметри і характеристики діодів. Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів. Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи. Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв. Внутрішні завади аналогових пристроїв.
учебное пособие, добавлен 07.07.2017Компоненти електронних та мікропроцесорних пристроїв. Напівпровідникові підсилювачі. Аналогові та дискретні мікросхеми. Основні типи дискретних інтегральних мікросхем. Випрямлячі та стабілізатори напруги. Аналого-цифрові та цифро-аналогові перетворювачі.
курс лекций, добавлен 18.08.2013Аналіз методики верифікації інтегральних мікросхем на прикладі елементів пам’яті з використанням тестів. Залежність часу надійної експлуатації інтегральних мікросхем радіотехнічних пристроїв від умов їх експлуатації, стану поверхні кремнієвого чипу.
статья, добавлен 26.01.2017Розрахунок структурної схеми радіо-передавального пристрою. Наявні варіанти вибору транзисторів та каскадів підсилювачів. Схема узгодження між каскадами транзисторів і розрахунок потужності яка на ній розсіюється. Технічні вимоги до джерел живлення.
контрольная работа, добавлен 12.06.2013