Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Биполярные структуры
Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
Подобные документы
Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
статья, добавлен 29.06.2017Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Разработка методики моделирования физических процессов в устройствах электроники. Анализ метода холодного моделирования. Характеристика реализации в конкретных современных устройствах схем с металлодиэлектрическими структурами для сверхвысоких частот.
статья, добавлен 13.01.2020Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Теоретические основы моделирования тепловых процессов. Способы обеспечения теплоотвода космической аппаратуры. АСОНИКА как инструмент математического моделирования физических процессов. Исследование тепловых процессов телекоммуникационного устройства.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Пример решения задачи трехмерного математического моделирования периодических энергетических негармонических процессов в радиотехнической цепи (устройстве) с переменным параметром при воздействии входных негармонических детерминированных сигналов.
статья, добавлен 14.07.2016Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.
статья, добавлен 30.05.2017Разработка импульсного блока питания, рассчитанного на нагрузку в 5 вольт, 4 ампера. Подбор оптимального соотношения рабочих узлов, обеспечивающих стабильную работу преобразователя. Моделирование и тестирование рабочей схемы устройства в среде Multisim.
курсовая работа, добавлен 23.11.2014Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.
статья, добавлен 28.04.2017Исследование микромеханического метода перестройки частотных параметров микрополосковой антенны с круглым излучателем. Характеристика и анализ влияния физических и геометрических параметров антенной структуры на ее основные излучательные характеристики.
статья, добавлен 29.01.2017Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Модель радиационно-индуцированных токов утечки, обусловленных захваченным зарядом в толстых слоях краевой изоляции. Методы физических и схемотехнических расчетов одиночных радиационных эффектов. Расчет интенсивности сбоев в цифровых элементах памяти.
автореферат, добавлен 08.02.2018Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Характеристика и особенности моделирования радиоэкологических процессов. Схематическое изображение двухкамерной модели. Динамика содержания радионуклида в биоте. Основные подходы логико-информационного моделирования в работах В.И. Беляева, М.Ю. Худошиной.
статья, добавлен 17.05.2021Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Моделирование тепловых процессов в технических объектах с помощью автоматизированной подсистемы АСОНИКА-Т. Расчет скорости воздуха в ветвях аэродинамической макромодели. Конструкция вычислительного блока самолета. Алгоритм теплового режима печатного узла.
дипломная работа, добавлен 02.09.2018Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009Определение, отличительные черты и моделирование принципиальной схемы устройства. Сущность и специфика процесса проведения исследования характеристик схемы, её структура. Описание анализа переходных процессов, измерение частоты источника сигнала.
лабораторная работа, добавлен 23.06.2015Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Выявление наиболее оптимальной методики расчёта параметров динамической настройки регуляторов двухконтурной каскадной САР: стабилизирующего и корректирующего регулятора. Относительное значение времени интегрирования. Моделирование переходных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.01.2018Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011