Исследование связи энергетических спектров молекул с транспортными характеристиками одноэлектронных транзисторов на их основе
Взаимосвязь между энергетическим спектром молекулы и транспортными характеристиками мономолекулярного одноэлектронного транзистора на основе молекулы. Применение метода имитационного моделирования Монте-Карло. Расчет эффективных емкостных параметров.
Подобные документы
Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Характеристика формирования спектров АМ- и ЧМ-радиосигналов. Методы расчета основных параметров для радиосигналов с амплитудной и частотной модуляцией. Способы получения и характеристиками радиоимпульсов. Расчет сигналов с линейной частотной модуляцией.
контрольная работа, добавлен 29.06.2010Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
реферат, добавлен 21.09.2018Характеристика метода имитационного моделирования. Исследование функционирования системы массового обслуживания типа G/G/1/K. Сравнение результатов задержки сигнала на ожидание с помощью имитационного моделирования и с использованием аналитической модели.
контрольная работа, добавлен 12.12.2021Оценка зарядовой стабильности одноэлектронного полевого транзистора на молекуле бензола в качестве проводящего канала в режиме кулоновской блокады. Вычисление энергии заряда молекулы по теории функционала плотности, модель ее взаимодействия со средой.
статья, добавлен 16.11.2017Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Разработка электродинамической модели ЛБВ с взаимодействием за границей полосы пропускания и метода управления полосовыми характеристиками СВЧ усилителей О-типа. Разработка эффективных методов создания фильтровых систем широкополосных клистронов.
автореферат, добавлен 14.04.2018Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Определение выходного сопротивления и коэффициента передачи по току, пользуясь входными и выходными характеристиками транзистора. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом. Определение параметров усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 13.01.2012Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Ознакомление с основными характеристиками и испытание интегральных преобразователей кодов (дешифратора, шифратора, демультиплексора и мультиплексора) на основе программы National Instruments и NI ELVIS II. Изучение и анализ результатов моделирования.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019Анализ метода передачи дискретных сообщений на основе интеллектуального модема с многочастотной модуляцией. Оценка параметров модема с целью выравнивания характеристик частотно-ограниченного канала связи на основе оптимальной рекуррентной фильтрации.
статья, добавлен 30.10.2018Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Спектральные характеристики импульсных радиосигналов, применяемых в радиолокации и радионавигации. Расчет и анализ автокорреляционных функций, спектров амплитуд, спектров фаз и энергетических спектров. Методы оптимальной согласованной фильтрации сигналов.
контрольная работа, добавлен 17.05.2016Исследование возможности использования интеллектуальных покрытий для управления характеристиками излучения и энергетическими параметрами антенных систем комплексов радиосвязи и радиолокации. Применение радиопоглощающих материалов, защитных покрытий.
статья, добавлен 02.04.2019Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018