Доменна структура та фазові перетворення у халькогенідних сегнетоелектриках-напівпровідниках та сегнетоеластиках
Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
Подобные документы
Експериментальне вивчення "недозволеної" доменної структури та оптичних властивостей твердих розчинів K2Cd2xMn2(1-x)(SO4)3. Поляризаційні дослідження сегнетоеластичної фази кристалів. Оцінка фізичної ролі області парафази в структурі доменної стінки.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження оптичних, магнітних та кінетичних властивостей кристалів напівпровідникових твердих розчинів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легованих марганцем і залізом. Побудова схеми зонної структури напівпровідника. Властивості термообробки твердих розчинів.
автореферат, добавлен 19.07.2015Методика вирощування монокристалів лангбейнітів і їх рентгеноструктурне дослідження. Аналіз доменної структури кристалів при фазових переходах. Послідовність вимірювання показника теплового лінійного розширення за допомогою кварцового дилатометра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження температурної і польової динаміки метастабільних структур і перехідних областей у неспівмірних фазах невласних сегнетоелектричних і сегнетоеластичних кристалів. Оцінка внеску амплітуди та фази параметра порядку в оптичне двозаломлення.
автореферат, добавлен 28.08.2014Виявлення та дослідження комбінованого впливу електричного поля та механічного напруження на заломлюючі властивості сегнетоелектричних кристалів. Вплив при сегнетоелектричних фазових переходах та сегнетоелектричних-сегнетоеластичних фазових переходах.
автореферат, добавлен 28.08.2014Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Встановлення характерних особливостей дефектної структури кристалів, обумовлених істотно нерівноважними умовами їх росту й екстремальними зовнішніми впливами. Математичне моделювання пружних коливань і характеристик діелектричної релаксації кристалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014Дослідження швидкості й затухання гіперзвуку для кристалографічних напрямків. Спектроскопічний аналіз методом Мандельштама-Бріллюена фотосегнетонапівпровідникових халькогенідних твердих розчинів. Вивчення анізотропії їх пружних властивостей кристалів.
статья, добавлен 27.12.2016Роль регулярних складових елементів кристалічної гратки та дефектів у формуванні оптичних характеристик (люмінесценція, поглинання, відбивання та діелектрична проникність) кристалів. Електронна структура ідеальних за будовою та дефектних кристалів PbWO4.
автореферат, добавлен 12.07.2014Дослідження температурних залежностей властивостей сегнетоелектричних кристалів тригліцинсульфату, диметиламонійалюмінійсульфату, калія селенату та амонія гідроселенату. Ступень анізотропії показника заломлення та коефіцієнта лінійного розширення.
автореферат, добавлен 23.11.2013Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження кристалізаційних, структурних, спектроскопічних, люмінесцентних, нелінійно-оптичних, та генераційних властивостей кристалів боратів стронція. Отримання нової хімічної сполуки. Методика вирощування та дослідження структури нових монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Дослідження доменної структури зразків монокристалічного TlInS2, отриманих з розплаву методом Бріджмена, в області існування фаз високого тиску. Побудова діаграми стану. Визначення особливостей поведінки сегнетоеластичних доменів при зміні тиску.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження спектральних характеристик радіаційностійких кристалів окислів боратів бета–BaB2O4 та Li2B4O7, нелінійно-оптичних та гіротропних кристалів Ca3(VO4)2 та нелінійних кристалів GaP в умовах впливу полів імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження зонної структури кристалів Cs2CdI4 і суперіоніки Ag2CdI4. Генезис зон та непрямозонний характер оптичних переходів. Спектри оптичних констант для кристала зі структурою типу Sr2GeS4 та походження смуг у спектрах діелектричної проникності.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Дослідження взаємодії оптичного випромінювання з періодично впорядкованими структурами. Основні методи створення фотонних кристалів. Головні характеристики фотонних кристалів та перспективи їх застосування. Характеристика тонких плоских зразків опалу.
реферат, добавлен 18.12.2020Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Особливості дефектної структури CdS та їхньої кристалічної ґратки при збудженні електронної підсистеми. Методики експериментальних досліджень монокристалічних зразків. Аномальна емісія електронів з поверхні кристалів CdS та вплив зовнішніх факторів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Взаємозв'язок між умовами вирощування, чистотою вихідної сировини й формуванням структури власних та домішкових точкових дефектів, які суттєво впливають на роботу приладів, виготовлених на сапфірових підкладках. Технологія оптимального розкрою кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014