Фізичні засади розроблення термометричних елементів на основі інтерметалічних напівпровідників
Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
Подобные документы
Механізми впливу мікрорельєфу поверхні напівпровідників на внутрішній фотоефект в контакті метал-напівпровідник в області зона-зонної фотогенерації носіїв струму, за умов внутрішньої фотоемісії в контакті, при збудженні поверхневих плазмових поляритонів.
автореферат, добавлен 23.02.2014Аналіз методами оптичної спектроскопії розподілу розмірів квантових точок, синтезованих у матриці боросилікатного скла. Закономірності еволюції краю смуги поляризаційного поглинання оптичних хвиль, структура спектрів фотолюмінесценції квантових точок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Характеристика оптичних і термічних властивостей твердого тіла. Ефекти сталих каркасів з різними тепловими якостями. Вплив напівпровідників при дослідженні на термопружність параметрів. Фототермоакустичні коливання збуджень п’єзоелектричних корпусів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідження розвитку електричної нестійкості в напівпровідниковій плазмі гарячих електронів в об'ємних структурах при керуючих впливах НВЧ-полів. Розробка принципів створення багатофункційних швидкодіючих НВЧ-пристроїв для інформаційно-керуючих систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження фотоіндукованих змін в світлочутливих аморфних халькогенідних плівках. Механізм формування поверхневого рельєфу при голографічному записі в багатошарових наноструктурах на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і аморфного селену.
автореферат, добавлен 20.04.2014Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження особливостей формування багатоквантових сигналів спінової луни від квадрупольних ядер. Розгляд та характеристика теоретичних підходів до опису релаксаційних властивостей сигналів ядерної спінової луни в речовинах з магнітним упорядкуванням.
автореферат, добавлен 14.09.2015- 61. Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015 Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розробка методики для безперервного спостереження кінетики індуційованого воднем фазового розпаду інтерметалідів RFe2 і виготовлення установки для реалізації цієї методики. Вплив температури й тиску водневої атмосфери на кінетику фазового розпаду.
автореферат, добавлен 26.07.2014Розробка наукових основ та перспективних технологій отримання однорідних напівізолюючих нелегованих кристалів арсеніду галію. Створення люмінесцентного методу контролю локального абсолютного вмісту фонових домішок та їх розподілу у сполуках А3В5.
автореферат, добавлен 22.04.2014Закономірності впливу енергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1–xSex, вкраплених у боросилікатну скляну матрицю, порівняння з радіаційними дефектами у склоподібних матеріалах класу силікатів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Аналіз механізмів радіаційного дефектоутворення при електронному та нейтронному опроміненні нелегованих і легованих міддю монокристалів CdS. Доідження фізичних властивостей монокристалів з метою побудови моделей електронних процесів у даних сполуках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розробка експрес методу контролю стану поверхні твердих тiл. Його практичне використання в умовах заводських та науково-дослідних лабораторій для виявлення точних властивостей та стану поверхні матеріалів (металів, напівпровідників, композитних структур).
автореферат, добавлен 28.06.2014Вивчення оптико-спектральних та люмінесцентно-кінетичних властивостей кристалів у широкому температурному інтервалі при лазерному та рентгенівському збудженнях. Розробка сцинтилятора рентгенівського випромінювання, його використання та значення.
автореферат, добавлен 29.08.2015Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018Електрофізичні властивості напівпровідників. Створення малогабаритної електронної апаратури. Електронно-дірковий перехід. Утворенні ковалентних зв’язків, відповідно вільних носіїв зарядів для здійснення провідності. Поняття про біполярні транзистори.
конспект урока, добавлен 03.04.2014Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014Вивчення електрофізичних властивостей термодинамічно гомогенних розплавів. Дослідження механізму розсіювання електронів в іонно-електронних системах. Вдосконалення методики високотемпературних вимірювань електропровідності хімічно агресивних середовищах.
автореферат, добавлен 12.07.2015