Вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію
Розробка наукових основ та перспективних технологій отримання однорідних напівізолюючих нелегованих кристалів арсеніду галію. Створення люмінесцентного методу контролю локального абсолютного вмісту фонових домішок та їх розподілу у сполуках А3В5.
Подобные документы
Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015- 2. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Аналіз процесів фазової взаємодії в системі In-Ga-Se-O та окислення сполук цієї системи. Розгляд стійкості при термообробці на повітрі півтораселеніду індію і галію в напівпровідниковій системі та їх кристалізація з утворенням моноклінної b-модифікації.
автореферат, добавлен 27.02.2014Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження структурних і фізичних властивостей реактивно-магнетронно розпилених плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в розпилювальній плазмі. Взаємозв’язок між фізико-технологічними параметрами розпилення і властивостями тонких плівок.
автореферат, добавлен 30.10.2015Фізико-технічні аспекти феномену спадковості станів в кристалічних сполуках AIIBVI. Дослідження оптичних, діелектричних, акустичних і теплових властивостей цих кристалів. Використання системного підходу до дослідження метастабільних станів сполук.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження фізичних основ щодо способів створення нових структур кремній на ізоляторі та арсенідгалію на ізоляторі різними методами: "DeleCut" (ion irradiated Deleted oxide Out) та "SmartCut" (для усунення недоліку використання базового методу).
статья, добавлен 30.10.2016- 8. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Роль регулярних складових елементів кристалічної гратки та дефектів у формуванні оптичних характеристик (люмінесценція, поглинання, відбивання та діелектрична проникність) кристалів. Електронна структура ідеальних за будовою та дефектних кристалів PbWO4.
автореферат, добавлен 12.07.2014Встановлення впливу концентрації і хімічної природи впроваджених іонів між шарами халькогенідів індію, галію, вісмуту, титану на термодинамічні і кінетичні параметри процесу інтеркаляції, фазовий склад інтеркальованих сполук і положення в них рівня Фермі.
автореферат, добавлен 25.04.2014Структурний стан матеріалів і прогнозування зміни їх властивостей під впливом іонізуючого випромінювання. Конструкційні матеріали корпусу та активні зони ядерних реакторів. Застосування ізоляційних та конструкційних елементів у ядерній енергетиці.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Фактори, які впливають на структуру та основні фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, отриманих реактивним магнетронним розпиленням. Застосування плівок в якості дифузійних бар’єрів в системах металізації до напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Одержання спектрів електронного парамагнітного резонансу та подвійного електронно-ядерного резонансу домішкових центрів та їх комплексів. Розшифровка та опис спектрів, визначення радіоспектроскопічних параметрів. Вплив домішок на фононні спектри.
автореферат, добавлен 23.11.2013З’ясування можливості використання поверхнево-бар’єрних напівпровідникових структур з надтонкими плівками титану і нікелю як первісних перетворювачів сигналу від оточуючого газового середовища. Встановлення фізичних процесів впливу аміаку і криптону.
автореферат, добавлен 10.01.2014- 16. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження зсуву Найта і форми резонансних спектрів у телуридах свинцю-олова залежно від концентрації носіїв струму. Ознайомлення з особливостями розробленої методик детектування у напівпровідникових матеріалах з високою електричною провідністю.
автореферат, добавлен 26.08.2014 Дослідження відмінностей впливу опромінення електронами на оптичні та люмінесцентні властивості кристалів лейкосапфіру, вирощених видозміненим методом Кіропулоса. Вивчення сигналів термолюмінесценції за допомогою молібденових та ніобієвих екранів.
статья, добавлен 30.01.2016Методи візуального та лабораторного контролю забруднення продуктів. Способи зменшення вмісту шкідливих речовин в овочах. Залежність питомого опору провідників від вмісту солей, його вимірювання. Перевірка можливості застосування чотирьохзондного методу.
курсовая работа, добавлен 15.01.2017Визначення руху глибокого рівня галію відносно країв дозволених зон під дією тиску. Проведення дослідження польових і температурних залежностей питомого опору твердих розчинів зі стабілізованим РФ в забороненій зоні. Виділення аномального ефекту Холла.
автореферат, добавлен 25.02.2015Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Аналіз і наукове обґрунтування методологічних і теоретичних засад математичного моделювання розподілу домішок при вирощуванні монокристала кремнію в умовах протікання фізичних процесів. Розробка алгоритмів розв’язання розроблених математичних моделей.
автореферат, добавлен 26.08.2015Дослідження взаємодії оптичного випромінювання з періодично впорядкованими структурами. Основні методи створення фотонних кристалів. Головні характеристики фотонних кристалів та перспективи їх застосування. Характеристика тонких плоских зразків опалу.
реферат, добавлен 18.12.2020Прямий експериментальний метод визначення функції енергетичного розподілу локалізованих станів (ЛС) у напівізолюючих твердих тілах. Дослідження спектру ЛС у полікристалічних плівках CdTe, одержаних у квазізамкненому об'ємі на провідних підкладках.
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження оптичних та нелінійно-оптичних властивостей кристалів ніобату літію та кристалів групи боратів. Вивчення таких НЛО ефектів як генерація вищих оптичних гармонік, генерація сумарної частоти, фотоіндукована генерація другої оптичної гармоніки.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
автореферат, добавлен 26.07.2014