Вплив деформації на електронні та діркові стани в напружених квантових точках InAs/GaAs
Дослідження перебудови локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних та циліндричних квантових точках різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації. Аналіз матеріалу квантової точки, оточуючої матриці та зовнішнього тиску.
Подобные документы
Аналіз методами оптичної спектроскопії розподілу розмірів квантових точок, синтезованих у матриці боросилікатного скла. Закономірності еволюції краю смуги поляризаційного поглинання оптичних хвиль, структура спектрів фотолюмінесценції квантових точок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз фізичних процесів, які визначають кінетику згасання фотолюмінесценції нанокремнію в широкому часовому діапазоні. Розробка моделі опису міграції електронних збуджень у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах і квантових точках.
автореферат, добавлен 27.08.2014Енергетичні стани квантових систем. Оптичні елементи квантових приладів. Методи утворення від`ємних температур. Активні середовища квантових приладів. Фізичні явища, що використовуються для прийому лазерного випромінювання. Основи нелінійної оптики.
методичка, добавлен 18.04.2014Розробка моделі для опису міграції електронних збуджень у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах (КД) і квантових точках (КТ), яка б з єдиних позицій пояснювала природу виявлених експериментально особливостей кінетики згасання ФЛ.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Дослідження довгочасової кінетики фотолюмінесценції у нерегулярних по товщині кремнієвих квантових дротинах і квантових точках. Визначення фосфоресценції, аномально малої величини бекерелевого показника згасання, немонотонності температурної залежності.
автореферат, добавлен 30.10.2015Вивчення за допомогою електричних вимірювань і структурного аналізу впливу низькотемпературної деформації на електричні властивості кристалів германію. Аналіз комп’ютерної методики для розрахунку напружень у зразках, що виникають при дії деформації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розгляд теорії енергетичного спектру електрона та сили осциляторів квантових електронних переходів між енергетичними рівнями цієї наноструктури. Корегування робочої частоти випромінювання квантового каскадного лазера, що працюють на квантових переходах.
статья, добавлен 29.09.2016Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження ефектів магнітопружного зв'язку в квантових магнетиках. Показано, що виникнення ненульового магнітного моменту зв'язано з появою магнітопружної щілини в спектрі квазімагнонів. Проведено оцінку температури Кюрі для досліджуваних систем.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах. Розкриття механізму виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромежі вздовж oсі.
автореферат, добавлен 20.04.2014Система фазових переходів у квантових ротаторах. Вивчення магнітних i квантових молекулярних кріокристалів. Оцінка термодинамічних реакцій твердого водню під високими тисками. Орієнтаційне плавлення магнітних i квантових молекулярних кріокристалів.
автореферат, добавлен 31.01.2014Зміни параметра анізотропії рухливості K в n-Si з точковими дефектами під впливом високого гідростатичного тиску. Зміни рухливості носіїв струму під впливом гама-опромінення і пружної направленої деформації досліджуваних кристалів, опис експерименту.
автореферат, добавлен 04.03.2014Побудова гамільтоніан електрона, рух якого обмежений потенціалом квантової точки або кільця. Розрахунки впливу спін-орбітальної і електрон-електронної взаємодії на магнітні властивості квантових точок. Визначення температурних залежностей намагніченості.
автореферат, добавлен 25.07.2015Аналіз дисперсійних співвідношень, що пов’язують енергію та хвильовий вектор носіїв. Вплив анізотропії і спінового розщеплення зон на структуру оптичного спектра поглинання, сутність властивостей явищ квантової осциляції та їх основні кутові залежності.
автореферат, добавлен 27.08.2014Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
автореферат, добавлен 23.08.2014Розрахунок енергії мінізон надграток з різними співвідношеннями товщин шарів. Теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій, що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Вплив деформації на зміну енергії носіїв заряду в гетероструктурах.
статья, добавлен 27.12.2016Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Розробка математичних моделей квантових логічних елементів та аналіз з їх допомогою перехідних процесів між квантовими станами для технологій побудови квантового процесора. Числові експерименти і вплив параметрів збурюючого сигналу (частоти, амплітуди).
автореферат, добавлен 29.01.2016Дослідження сильнопольового та високочастотного транспорту у низькорозмірних структурах на основі сполук АIIIBV, зокрема нітридів. Характеристика переваг квантових ям на нітридних сполуках для реалізації сильноанізотропного розподілу електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Перебудова електронних рівнів з дислокаціями. Перерозподіл електронної густини в широкозонних легованих напівпровідниках з дислокаціями. Зміни випрямних властивостей дислокаційного бар’єру під впливом самоузгодженого електрон-деформаційного зв’язку.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка теоретичної та експериментальної бази для проведення досліджень квантових кристалів за умов наднизьких температур. Дослідження особливостей кінетичних процесів, що відбуваються в квантових кристалах в період ізотопічних фазових переходів.
автореферат, добавлен 13.07.2014