Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6
Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
Подобные документы
Вирощування монокристалів з використанням парофазного методу та дослідження їх фізичних властивостей. Процеси термічного окиснення на повітрі селеніду індію з різним умістом марганцю. Електрофізичні та фотоелектричні властивості різнотипних структур.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Експериментальний та теоретичний аналіз спектрів оптичного пропускання в епітаксійних плівках Hg1-xCdxTe з різним характером та величиною градієнта складу. Дослідження механізмів темнового струму і спектрів шуму в довгохвильових фотодіодах n+-p-типу.
автореферат, добавлен 12.02.2014Методика розробки комплексної фізико-математичної моделі діодних та тріодних вістрійних структур, а також розрахунок їх головних параметрів. Дослідження оригінальної тріодної вістрійної структури, здатної функціонувати при низьких робочих напругах.
автореферат, добавлен 28.08.2014Механізм переносу заряду електричних та фотоелектричних процесів. Зміст основних експериментальних та теоретичних кривих при зворотних напругах. Характеристика математичних форм спектральних нерівностей. Аналіз досліджуваних поверхнево-бар’єрних діодів.
автореферат, добавлен 27.09.2014Оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури металу-напівпровіднику з проміжним шаром різної фізико-хімічної природи, їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури. Вивчення деградації напівпрозорих металевих плівок.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження шляхів реалізації діодних та тріодних автоемісійних структур (генераторів та підсилювачів міліметрового та субміліметрового діапазонів) на основі матричних вістрійних автоемісійних катодів. Аналіз можливості суттєвого зниження робочих напруг.
автореферат, добавлен 27.12.2015- 9. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 - 10. Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту
Дослідження електричних та фотоелектричних характеристик сендвіч-структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Виявлення збільшення електропровідності експериментальних структур, а також, величини фотоерс та фотоструму.
статья, добавлен 23.12.2016 Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, а також технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру досліджуваних низькорозмірних систем на основі кисневмісних сполук цинку та дийодиду свинцю.
автореферат, добавлен 14.10.2015Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів SiOx/SiNx та поруватого кремнію на ефективність сонячних елементів. Розробка методу керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Бреггівським дзеркалом.
автореферат, добавлен 25.07.2015Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз електронних станів на основі параметрів фотовідгуку у приповерхневій області широкозонних матеріалів (алмазні полікристалічні плівки), при взаємодії з випромінюванням інфрачервоного регіону. Взаємодія спектральних параметрів джерел випромінювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Основні фотоелектричні властивості нелегованих полікристалічних алмазних плівок, які були вирощені CVD-методом. Внесок поверхні плівок в процеси електропереносу. Спектральна залежність нестаціонарного фотовідгуку у видимому та ближньому ІЧ-діапазонах.
автореферат, добавлен 25.02.2015Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014Вивчення особливостей переносу заряду в квантових гетероструктурах на основі сполук А3В5 під дією освітлення, додаткового електричного потенціалу та наявності носіїв заряду обох знаків. Особливості побудови моделі електрично-індукованої надгратки.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вивчення квантових ефектів в плівках телуриду свинцю і вісмуту, гетероструктурах PbTe/Bi, електрофізичних, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей в залежності від товщини шарів методом термічного випаровування в вакуумі на підкладки з слюди.
автореферат, добавлен 27.09.2014