Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук з різним ступенем іонності
Розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу, які мають різну ступінь іонності. Експериментальна установка для комплексних досліджень.
Подобные документы
Вплив елементів легуючої сполуки (диборид титану) на процеси, які відбуваються при імпульсній лазерній модифікації поверхні зразків армко-заліза. Фізичні закономірності формування фазового складу поверхні нелегованих сталей при надшвидкому охолодженні.
автореферат, добавлен 30.08.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Встановлення закономірностей впливу діелектричного покриття на енергетичні характеристики поверхні металу. Визначення залежності температури електронної підсистеми кластерів різної форми від кількості атомів в них і потужності, що передається електронам.
автореферат, добавлен 29.07.2015Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Вивчення впливу анізотропії пружних властивостей на характер хімічного зв’язку та стабільність монокристалів з ґратками типу NaCl, CsCl і CaF2. Визначення ступеня іонних зв'язків лужно-галоїдних кристалів без вимірювання енергетичних параметрів.
статья, добавлен 30.01.2016Фізичні процеси, які відбуваються в адсорбованих на поверхні перехідного металу шарах. Електронна властивість, як підвищена фотоемісійна здатність та каталітична активність. Взаємозв'язок електронної і атомної структури лужних і лужноземельних металів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Формування структурного стану кристалів заліза в умовах імпульсної лазерної обробки. Фізичні властивості перекристалізації сплавів. Вплив енергетичних параметрів імпульсного лазерного випромінювання на формування хвилястої мікрогеометрії поверхні.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 8. Реакційно-дифузійні процеси в системах з поверхнею поділу "метал-газ": квантово-статистичний опис
Теорія процесів переносу для систем типу "метал–адсорбат–газ". Квантово-статистична теорія рівноважних характеристик металевих систем. Розрахунок рівноважних функцій розподілу електронів. Процеси переносу електронної підсистеми напівобмеженого металу.
автореферат, добавлен 26.08.2015 Проведення комплексних експериментальних досліджень впливу на коефіцієнт теплообміну орієнтації поверхні, її теплофізичних характеристик та зовнішніх вібрацій. Методика формування основних розрахункових співвідношень для коефіцієнту теплообміну.
автореферат, добавлен 23.11.2013Ознайомлення з результатами теоретичних досліджень енергоефективних тепломасообмінних процесів в термовакуумних сушильних установках. Визначення та характеристика особливостей кінетики випаровування вільної води із поверхні в квазістаціонарному режимі.
автореферат, добавлен 30.03.2016Вплив хімічного складу, температури, швидкості потоку електроліту, зміни густини струму у процесі вирощування гальваноматриць на однорідність, напруження та шорсткість поверхні штампів. Вплив pH та концентрації сульфамату нікелю на його гідроліз.
статья, добавлен 29.01.2019Вплив радіаційного теплообміну на температурні умови вирощування оксидних кристалів з розплаву. Кінетична залежність швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні кристалів методом осьового теплового потоку на фронті кристалізації.
автореферат, добавлен 27.09.2014Аналіз ролі технологічних факторів у формуванні підсистеми власних точкових дефектів і електрофізичних властивостей плівок PbTe, PbS і PbSe. Процеси дефектоутворення і зміни дефектної підсистеми і електрофізичних властивостей плівок халькогенідів свинцю.
автореферат, добавлен 22.07.2014Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Встановлення взаємодії лазерного випромінювання та оптимізації режимів і умов лазерного опромінення для ціленапрямленої модифікації. Дослідження впливу променів на поверхневі функціональні групи та зміна електронної підсистеми різної модифікації.
автореферат, добавлен 28.08.2015Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
курсовая работа, добавлен 26.08.2016- 17. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 19. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Роль речовин, розташованих на поверхні кремнієвих кристалітів, у процесах збудження червоної смуги фотолюмінесценції (ФЛ). Вплив морфології пористих шарів на процеси збудження ФЛ. Хімічний склад пористих шарів та його впливу на процеси збудження.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Розробка способів створення тонких рідких прошарків і методики контролю їх товщини. Умови формування приповерхневих структурованих шарів в надтонких прошарках немезогенів. Вплив мікроструктури поверхні підкладки на параметри епітропної фази немезогенів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розрахунок електронної зонної структури бінарних сполук методом модельного псевдопотенціалу та дослідження впливу на неї деформацій і температури. Моделювання твердих розчинів заміщення і дослідження впливу структурної релаксації на електронний спектр.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження спектрального складу випромінювання, що виникає при дії пучка іонів на матеріали з різним хімічним складом. Виявлення можливості практичного використання спектроскопії випромінювання вторинних частинок для елементного аналізу складу поверхні.
автореферат, добавлен 27.07.2014