Модифікація дефектної структури напівпровідникових сполук А2В6 та А3В5 високочастотним електромагнітним випромінюванням
Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
Подобные документы
Розробка наукових основ та перспективних технологій отримання однорідних напівізолюючих нелегованих кристалів арсеніду галію. Створення люмінесцентного методу контролю локального абсолютного вмісту фонових домішок та їх розподілу у сполуках А3В5.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження електронної (бістабільність) і ядерної спінових підсистем розчинів комплексу EHBACrV у 1,2-пропандіолі та його дейтерованому аналогу. Створення автоматизованого трисантиметрового спектрометра для дослідження напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 30.07.2014Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014- 4. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Фізико-технічні аспекти феномену спадковості станів в кристалічних сполуках AIIBVI. Дослідження оптичних, діелектричних, акустичних і теплових властивостей цих кристалів. Використання системного підходу до дослідження метастабільних станів сполук.
автореферат, добавлен 24.06.2014Особливість забруднення сельбищних територій Солом’янського району електромагнітним випромінюванням. Дослідження встановлення максимального сумарного рівня електромагнітного поля радіостанціями Київського радіотелевізійного передавального центру.
статья, добавлен 22.07.2024Дослідження опису генерації оптичного випромінювання у напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивними і квантоворозмірними активними шарами, взаємодії оптичного випромінювання з матеріалом активних елементів волоконно-оптичних систем.
автореферат, добавлен 22.04.2014Встановлення характерних особливостей дефектної структури кристалів, обумовлених істотно нерівноважними умовами їх росту й екстремальними зовнішніми впливами. Математичне моделювання пружних коливань і характеристик діелектричної релаксації кристалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Динаміка заселеності енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання, вплив часу життя рівнів і механізму релаксації. Розрахунок модуляційних спектрів оптичного поглинання для інтерпретації спектрів п'єзофотопровідності.
автореферат, добавлен 04.03.2014Види та характеристики електромагнітного поля (ЕМП). Класифікація електромагнітних полів і випромінювань, їх джерела. Нормування електромагнітного випромінювання радіочастотного діапазону. Захисні заходи для зменшення впливу ЕМП на персонал і населення.
реферат, добавлен 18.04.2017Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження впливу метастабільних центрів в розчинах AlxGa1-xAs на явища переносу та резонансних рівнів домішкових станів у безщілинних напівпровідниках, зумовлюючих електронну кореляцію. Залишкова фотопровідність вище розташованих домішкових станів.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження генерації екситонних поляритонів полем в-частинки, що рухається в ньому. Енергетичний спектр орієнтаційно-разупорядкованих і змішаних молекулярних кристалів. Закономірності та етапи розсіяння світла квазідвовимірною кристалічною структурою.
автореферат, добавлен 29.09.2014- 16. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Встановлення природи, локальної структури та загальних закономірностей утворення різних дефектних станів в ряді кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовскіта. Вплив цих дефектів на електро-фізичні властивості даних матеріалів.
автореферат, добавлен 01.08.2014 Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014Створення твердотільних структур метал-напівпровідник-метал на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe з контактами різного типу. Вибір оптимальної структури та методів її модифікації для ефективної реєстрації випромінювання в широкому діапазоні енергій.
автореферат, добавлен 30.07.2014Вивчення впливу кратності періоду модуляції діелектричної проникності плоскої структури на просторовий розподіл електромагнітного поля. Виявлення особливостей формування поля випромінювання пластиною для випадку модуляції діелектричної проникності.
статья, добавлен 30.07.2016Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Роль регулярних складових елементів кристалічної гратки та дефектів у формуванні оптичних характеристик (люмінесценція, поглинання, відбивання та діелектрична проникність) кристалів. Електронна структура ідеальних за будовою та дефектних кристалів PbWO4.
автореферат, добавлен 12.07.2014Відповідність між кольорами та довжинами хвиль монохроматичного електромагнітного випромінювання видимого діапазону. Підтвердження наявності у людей механізмів, які забезпечують шкірно-оптичне сприйняття кольору. Дослідження та аналіз змін ритмів мозку.
статья, добавлен 13.07.2021Встановлення взаємодії лазерного випромінювання та оптимізації режимів і умов лазерного опромінення для ціленапрямленої модифікації. Дослідження впливу променів на поверхневі функціональні групи та зміна електронної підсистеми різної модифікації.
автореферат, добавлен 28.08.2015Аналіз електронних станів на основі параметрів фотовідгуку у приповерхневій області широкозонних матеріалів (алмазні полікристалічні плівки), при взаємодії з випромінюванням інфрачервоного регіону. Взаємодія спектральних параметрів джерел випромінювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015