Метод определения интегральной поглощенной дозы
Использование структур металл-диэлектрик-полупроводник - один из основных механизмов, позволяющих контролировать величину интегральной поглощенной дозы радиационного излучения. Выражение, которое применяется для определения суммы плотностей токов.
Подобные документы
Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017Сущность туннельного эффекта. Проявление эффекта в неоднородных структурах. Использование в различных устройствах микроэлектроники: контакт металл-металл, структура металл-диэлектрик-металл, токоперенос в тонких плёнках, туннельный пробой в p-n-переходе.
курсовая работа, добавлен 19.07.2010Зарождение микроэлектроники как научно-технического направления, обеспечивающего создание радиоэлектронной аппаратуры. Интегральные микросхемы и этапы развития интегральной электроники. Роль тонкопленочной технологии в развитии интегральной электроники.
реферат, добавлен 20.06.2016Вагоны-лаборатории для проверки устройств автоматической локомотивной сигнализации. Предложена система определения временных параметров сигнального тока в виде приставки к персональному компьютеру. Программный таймер реализован на интегральной микросхеме.
курсовая работа, добавлен 29.05.2009Метод диэлектрической изоляции. Комбинированная изоляция элементов интегральной микросхемы. Последовательность операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых интегральной микросхемы с диэлектрической изоляцией элементов.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2013- 6. Оценка точности определения местоположения источника излучения в угловой системе при действии помех
Методы для определения местоположения источников излучения в пассивной радиолокации. Некоторые результаты оценки точности определения местоположения источников излучения триангуляционным алгоритмом при действии помех на измерений угловых координат.
статья, добавлен 19.07.2012 Характеристика эскизов диффузионных резисторов на основе базовой и эмиттерной областей, которые сформированы по планарно-эпитаксиальной технологии. Контактная площадка интегральной полупроводниковой микросхемы – металлизированный участок на кристалле.
курсовая работа, добавлен 18.03.2020- 8. Оценка точности определения местоположения источника излучения в угловой системе при действии помех
Использование доплеровского эффекта в пассивной радиолокации. Преимущества и недостатки триангуляционного метода определения координат источника излучения. Снижение погрешности измерения угловых величин. Вычисления дисперсии погрешности местоположения.
статья, добавлен 23.01.2018 Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Нелинейный радиолокатор как основное техническое средство, которое применяется для защиты информации по поиску и обнаружению электронных закладных устройств. Методы расчета статических аппроксимирующих вольт-амперных характеристик нелинейного объекта.
статья, добавлен 03.05.2019Специфика разработки структурной и принципиальной схемы. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов, особенности разработки топологии. Характеристика этапов изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 01.12.2014Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.
курсовая работа, добавлен 10.05.2013- 13. Полупроводники
Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.
презентация, добавлен 24.12.2012 Понятие интегральной безопасности и ее составляющие. Комплекс защиты охраняемых территорий и его компоненты. Механические системы защиты и системы оповещения: принцип работы и эффективность. Структурная схема интегральной системы безопасности объекта.
реферат, добавлен 15.11.2008Разработка синхронной схемы и триггерного устройства. Схема счетчика реализованного на Т–триггерах. Листинг программы работы схемы на языке С++. Проектирование интегральной микросхемы, выполняющей заданные функции преобразования цифровой информации.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Расчет состояния цепи методом контурных токов. Определение объема выравнивания, которое будет произведено в КТУ. Построение системы уравнений по КТУ (2-й закон Кирхгофа). Максвелл предлагает два метода: метод контурных токов; метод узловых потенциалов.
контрольная работа, добавлен 16.05.2023Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Технология клеевых соединений в производстве интегральной радиоэлектроники. Конструкция соединений, классификация клеев. Изготовление печатных плат. Общая характеристика методов. Формирование рисунка методами сеткографии, офсетной и трафаретной печати.
контрольная работа, добавлен 11.08.2014Измерение основных параметров и построение графика АЧХ усилителя звуковой частоты на интегральной микросхеме в диапазоне 20 Гц - 30 кГц. Использование инструментов программного математического пакета MathCAD 14 при расчетах и построении графиков.
лабораторная работа, добавлен 13.10.2016Устройство для оперативной проверки работоспособности интегральной микросхемы (ИМС) по принципу "годен" - "не годен". Микропроцессорный контроллер для тестирования ИМС. Выбор микропроцессора и элементов схемы. Подпрограмма тестирования микросхемы.
курсовая работа, добавлен 16.07.2009Цифровая интегральная микросхема как схема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Элементы одноступенчатой логики. Транзистор по схеме "Комплементарный металл-диэлектрик-полупроводник".
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Исследование динамической проводимости на постоянном токе. Отражение электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона от тонких пленок гранулированных аморфных металл-диэлектрических нанокомпозитов. Модель внутригранулярных (внутрикластерных) токов.
статья, добавлен 05.11.2018Назначение программируемой логической интегральной схемы, принцип ее работы, параметры и ведущие производители. Особенности обеспечения целостности сигнала. Обоснование развязывающих конденсаторов. Проведение трассировки печатной платы в системе Allegro.
дипломная работа, добавлен 30.07.2016Характеристика основных логических элементов на дополняющих МДП-транзисторах. Неинвертирующие вентили, логические элементы с вентильным и блокирующим КМДП-транзисторами. Особенности логических элементов, реализуемых в составе большой интегральной системы.
реферат, добавлен 19.12.2014Дисперсионные уравнения для определения постоянных распространения собственных волн пластины с решетками. Методика учета тепловых потерь в решетках емкостного и индуктивного типа. Показатели качества искусственных сред в устройствах интегральной оптики.
статья, добавлен 05.11.2018