Разработка модели для расчета напряженно-деформированных состояний в полупроводниковых структурах при лазерном воздействии
Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
Подобные документы
Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
статья, добавлен 03.11.2018Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Исследование влияния отклонения принятой модели от действительной формы принимаемого сверхширокополосного сигнала (СШПС) с неизвестными временными параметрами на эффективность обнаружения. Расчет функционала отношения правдоподобия при воздействии ГБШ.
статья, добавлен 02.04.2019Разработка математической модели классификации объектов наблюдения по поляризационным признакам с использованием модели расчета поляризационных матриц рассеяния. Моделирование процесса классификации на основе полученных реализаций поляризационных матриц.
реферат, добавлен 02.04.2019Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.
статья, добавлен 28.04.2017Моделирование двухпортовой двухполяризационной патчевой антенны как элемента кольцевой антенной решетки. Рассмотрение характеристик излучения для мод с разным орбитальным угловым моментом. Использование эффекта для сканирования вихреобразным лучом.
статья, добавлен 05.11.2018Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
статья, добавлен 04.11.2018Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Особенности реализации генерируемой сети на кристалле с различными параметрами на языке Verilog, которая поддерживает топологии mesh, torus и circulant 2 порядка. Разработка маршрутизатора, системы связи, вспомогательных программ для работы с моделью.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018Проектирование секций и структуры фазовращателя широкополосного умножителя. Расчет длин отрезков линий передачи. Выбор параметров подложки. Моделирование фазовращателя в геометрическом электрическом базисе. Укладка микрополосковых линий на подложку.
контрольная работа, добавлен 11.01.2018- 13. Моделирование распространения электромагнитных волн в помещении c учетом влияния местных предметов
Рассмотрение вопросов построения математической модели распространения электромагнитных волн сверхвысокочастотного диапазона в помещении прямоугольной формы с учетом влияния местных предметов. Сравнение результатов математического моделирования.
статья, добавлен 30.10.2018 Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Составление математической модели в базисе переменных состояний. Алгоритм построения математической модели в базисе условных потенциалов. Определение токов генераторов согласно теореме об эквивалентном генераторе. Исчисление передаточной функции.
курсовая работа, добавлен 08.06.2016Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя с помощью метода масочного формирования ГИС. Приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, материалов подложки, навесных элементов. Площадь занимаемая пленочными элементами.
контрольная работа, добавлен 25.05.2012- 17. Математическое моделирование работы ультразвуковой высокоточной системы локального позиционирования
Анализ модели системы, позволяющей производить локальное позиционирование движущихся объектов с точностью до 1 см. Оценка погрешностей измерения координат предлагаемой системы. Моделирование полосового фильтра. Ограничение и фиксация сигналов, их график.
статья, добавлен 19.06.2018 Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Разработка математической модели, позволяющей анализировать излучающий электромагнитный кристалл в режиме смешения сигналов, который представляет интерес с точки зрения построения приемных нелинейных остронаправленных антенн. Анализ неизлучающих структур.
статья, добавлен 04.11.2018Разработка методики повышения устойчивости радиоэлектронных средств к электростатическому разряду за счет выявления влияния характеристик электронных компонентов на порог их отказа при воздействии разряда по CBM-модели. Алгоритм моделирования процессов.
статья, добавлен 24.04.2019Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Резистивно-емкостные элементы с распределенными параметрами как конструкции на основе системы чередующихся слоев материалов, в которых проводящие прослойки разделены диэлектриками. Характеристика блок-схемы модернизированного генетического алгоритма.
автореферат, добавлен 13.08.2018Набор средств, предоставляемых Simulink для решения задач телекоммуникаций. Создание модели телекоммуникационных систем в соответствии с заданными параметрами. Исследование работы телекоммуникационной системы на примере модели канала связи стандарта GSM.
лабораторная работа, добавлен 18.09.2021Уровни эталонной модели взаимодействия открытых систем. Маршрутизация трафика вторичных сетей. Разработка структуры сигнальной сети OKC на начальном этапе. Расчёт сигнальной нагрузки на ее звенья. Проектирование нормальных маршрутов для систем связи.
курсовая работа, добавлен 01.02.2016Реализация и внедрение концептуальной модели отчета по динамике состояний абонентского комплекта в процесс обмена геоданными между всеми пользователями. Анализ основных этапов разработки программного модуля по динамике состояний абонентского комплекта.
статья, добавлен 11.01.2018