Разработка фоточувствительных полупроводниковых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью
Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
Подобные документы
Использование метода сравнения показаний при определении погрешности средств измерений в метрологии. Принцип действия полупроводниковых приборов. Применение транзистора в радиоэлектронике. Средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации.
контрольная работа, добавлен 07.10.2015Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.
курс лекций, добавлен 05.07.2013Обзор методов (контактный, бесконтактный, люминесцентный) и приборов измерения температуры. Расчёт погрешности измерительного прибора. Моделирование печатной платы и схемы термоанемометра. Создание корпуса и компоновка основных узлов на лицевой панели.
курсовая работа, добавлен 26.06.2015Физические свойства электровакуумных и полупроводниковых приборов. Описание импульсных устройств и преобразовательной техники. Основы микроэлектроники и вычислительной техники. Особенности судовой электроавтоматики и автоматизированных установок.
книга, добавлен 13.03.2014Описание процессов в электрических элементах и узлах аппаратуры. Характеристика электропроводности и эффектов полупроводников. Функционирование электронно-дырочных и металлополупродниковых переходов. Общее описание устройства полупроводниковых приборов.
книга, добавлен 26.03.2011Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013Показатели надежности современного радиоэлектронного оборудования. Виды отказов и основные дефекты. Неразрушающиеся методы испытания элементов радиоэлектронной аппаратуры. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 22.02.2011- 65. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Чувствительность к перегрузке и изменению температуры - одна из отличительных особенностей полупроводниковых приборов. Методика определения постоянной составляющей анодного тока в пиковой точке. Анализ системы охлаждения радиопередающего устройства.
курсовая работа, добавлен 28.01.2019Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Физические основы действия полупроводниковых приборов. Техника безопасности при выполнении лабораторных работ. Оформление отчета по работе. Анализ свойств операционных усилителей. Микросхемы базовых логических элементов. Цифровые микросхемы триггеров.
методичка, добавлен 23.06.2013Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Рассмотрение результатов исследования влияния элементов схемы на характеристики усилителя звуковой частоты с отрицательной обратной связью. Изучение методики определения нижней и верхней граничных частот. Анализ подключения разделительного конденсатора.
лабораторная работа, добавлен 12.05.2023Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
лекция, добавлен 04.10.2013Особенность исследования уровня надежности микроэлектронных систем. Анализ отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изучение устойчивости компонентов электронных схем. Основные составляющие исправности программного обеспечения.
лекция, добавлен 22.03.2018Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012