Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки
Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
Подобные документы
Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Виды оптического поглощения в полупроводниках. Измерение поглощения оптического излучения в арсениде галлия. Отбор образцов с дефектами. Измерение спектров пропускания. Оценка концентрации хрома и его распределения в высокоомных образцах арсенида галлия.
отчет по практике, добавлен 21.02.2020Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Структурно-параметрический синтез двух- и трехконтурных электрических цепей с емкостным накопителем энергии в тиристорных формирователях разрядных импульсов. Рассмотрение сопротивления в полупроводниках. Процесс формирования мощных разрядных импульсов.
статья, добавлен 29.01.2016Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Обзор истории микроскопии. Характеристика просвечивающей электронной микроскопии. Оценка источников электронов. Определение вспомогательного оборудования для ОПЭМ и системы освещения. Анализ способов применения просвечивающего электронного микроскопа.
реферат, добавлен 15.04.2016Электронно-оптическая система как совокупность электродов, магнитов, проводников, обтекаемых током. Характеристика основных направлений электронной микроскопии. Методы просвечивающей и растровой микроскопии. Принципиальная оптическая схема микроскопа.
реферат, добавлен 20.11.2016Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Исследование необходимости использования метода лазерной интерференционной термометрии для дистанционного контроля температуры полупроводниковых и диэлектрических подложек в микроэлектронике. Распределение высокочастотной и сверхвысокочастотной энергии.
статья, добавлен 30.05.2017Особенности постройки диаграмма состояний и соответствующих фазовых портретов. Знакомство с динамикой изменения скорости ползучести, плотности дислокаций и точечных дефектов в материалах под облучением с учетом генерации вакансий скользящими дислокациями.
контрольная работа, добавлен 02.09.2013Разработка инновационного подхода для преобразования наноразмерной механической энергии в электрическую энергию массивами пьезоэлектрических нанопроволок оксида цинка. Возможные виды конфигураций контакта между нанопроволкой и зигзагообразным электродом.
презентация, добавлен 12.08.2015Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
учебное пособие, добавлен 10.04.2015Понятие и виды электронной микроскопии. Схема устройства растрового электронного микроскопа и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. Анализ методов исследования надмолекулярной структуры аморфных и кристаллизующихся полимеров.
доклад, добавлен 07.02.2012Объем потребления первичных энергоресурсов в Германии. Экономия и более эффективное использование энергии. Характеристика возобновляемых видов энергии. Исследования технического потенциала и недостаточности использования возобновляемых видов энергии.
статья, добавлен 27.02.2017Изучение излучения молекул галогенидов благородных газов в тлеющем и барьерном разрядах. Характеристика лазерных импульсов в плазме. Сравнение энергии генерации в смесях с водородом и углеводородами. Использование генераторов на полупроводниковых диодах.
автореферат, добавлен 11.03.2014Макроскопический критерий хрупкого разрушения при образовании изолированного дефекта в виде выточки. Величины критических нагрузок, необходимых для начала распространения "узкого" дефекта. Конформное отображение внешности единичного круга на плоскость.
статья, добавлен 20.05.2017- 20. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Возникновение дефектов в системах жилищно-коммунального хозяйства. Целесообразность проведения ремонтно-восстановительных работ с применением композиционных материалов. Их применение для ликвидации дефектов теплосетей городского коммунального хозяйства.
статья, добавлен 21.11.2020Прямое и косвенное влияния тепловой энергии на повышение жизненного уровня общества на планете. Получении тепловой и электрической энергии нетрадиционными методами. Метод получения тепловой энергии, основанный на процессе электрофизической ионизации.
статья, добавлен 09.10.2019Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014- 24. Электронная микроскопия углеродных нанотрубок и нановолокон и автоэлектронные эмиттеры на их основе
Исследование различных типов углеродных нанотрубок методами электронной микроскопии высокого разрешения (ВРЭМ), растровой электронной микроскопии (РЭМ) и электрофизическими методами. Анализ использования ОСНТ@ПУ в качестве элементов наноэлектроники.
автореферат, добавлен 02.08.2018 Анализ данных по примесному составу слитков мультикремния, выращенных при разных скоростных и тепловых режимах. Выявление разновидностей протяженных дефектов в мультикремнии методами селективного травления и разных видов микроскопии травления.
автореферат, добавлен 26.07.2018