Широкозонні напівпровідникові шари ZnO:Al, ITO та CdS в плівкових фотоелектрично активних гетеросистемах

Запропоновано новий фізичний підхід оптимізації технології одержання напівпровідникових широкозонних шарів для плівкових фотоелектрично активних гетеросистем. Показано, що процес осадження шарів ZnO:Al не повинен викликати міжфазну та дифузійну взаємодію.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.