Электрические свойства наноструктурированного Au-Ga2O3-N-GaAs0.6P0.4 диода Шоттки

Изучение фотоэлектрических свойств наноструктур Аu-оксид-n-GaP0.4As с разной толщиной окисного слоя в видимой и ультрофиолетовой областях спектра. Вольт-амперные, -фарадные характеристики и спектр фототока короткого замыкания в диапазоне энергий фотонов.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.