Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей

Возможность генерации диодами с туннельным анодом и боковой границей в диапазоне десятки-сотни гигагерц и существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Свойства предложенных диодных структур.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.