Дослідження механізмів формування та фізичних властивостей напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею
Механізми, які обумовлюють спостережений експериментально ріст та еволюцію функції розподілу за радіусами ниткоподібних кремнієвих кристалів, вирощуваних у процесі газотранспортних реакцій. Розробка математичної моделі процесу формування пор у кремнії.
Подобные документы
Аналіз електронно-польової емісії з кремнієвих структур типу Si-SiO2-d(Si)-SiO2 і Si-SiO2-d (Cs), вкритих плівками з дельта-легованим шаром. Емісійні властивості кремнієвих вістрійних емітерних матриць вкритих багатошаровими та алмазо-подібними плівками.
автореферат, добавлен 07.03.2014Побудова функції розподілу атомних зміщень простого ідеального кристалу та зведення її до бінарної функції розподілу з урахуванням кореляцій руху сусідніх атомів. Обчислення вільної енергії, рівняння стану та термодинамічних функцій простих кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Технологічні основи одержання керамічних галогеновмісних високотемпературних надпровідників і гібридних контактних структур типу "ВТНП-киснево-вмісний напівпровідник". Комплексні дослідження фізичних властивостей, розробка гібридних контактних структур.
автореферат, добавлен 15.11.2013Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Дослідження оптичних властивостей кремнієвих, германієвих, квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці, прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015- 9. Феноменологічні моделі магнітних та пружних властивостей сплавів, що зазнають фазових перетворень
Розробка феноменологічних моделей для опису макроскопічних властивостей кристалів та синтетичних сполук із урахуванням їх мікроструктури, чутливої до впливу зовнішніх полів. Методика розрахунку властивостей кристалів в околі фазових перетворень.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Виявлення механізмів формування структур і фізичних властивостей кристалічних середовищ різних типів з іонним, ковалентним і металевим зв'язками. Розробка методики моделювання впливу дефектів низької розмірності (домішок, вакансій, локальних вигинів).
автореферат, добавлен 28.07.2014- 12. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, розроблення математичної моделі, що включає чисельний розв'язок частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з граничними умовами.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 15. Термодинаміка протонної моделі кристалів сім’ї KH2PO4 з тунелюванням і п’єзоелектричною взаємодією
Розробка статистичної теорії фазового переходу і термодинамічних властивостей сегнетоактивних недейтерованих кристалів. Модифікація протонної моделі з короткосяжними і далекосяжними взаємодіями. Отримання температурних залежностей спонтанних поляризації.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 17. Фізичні механізми керування нерівноважністю плазми в стаціонарних динамічних газорозрядних системах
Дослідження фізичних підходів по використанню динамічних газорозрядних систем. Генерація стаціонарної нерівноважної плазми. Виявлення взаємодії плазмового струменя з нейтральним газом. Формування функції розподілу електронів за енергіями в плазмі.
автореферат, добавлен 29.07.2014 Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Вивчення механізмів дефектоутворення в кристалічному і аморфному кремнії та зміна його фотоелектричних властивостей під впливом гамма-опромінення, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Коефіцієнти квазіхімічних реакцій моделей дефектоутворення.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідженню впливу фонових домішок і структурних дефектів на формування та фізичні властивості розбавлених твердих розчинів. Основні мови виникнення аномалій фізичних властивостей. Вивчення процесів одержання слабколегованих шарів кремнієвих композицій.
автореферат, добавлен 15.11.2013Удосконалення методів визначення втрат потужності в перетворювальних пристроях, які працюють в різних режимах. Розробка математичної моделі напівпровідникових перетворювачів постійного та змінного струму працюючих в автономних системах електропостачання.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка чисельної моделі з ефективним алгоритмом розв’язання системи рівнянь, що описують стратифіковані течії нестисливої рідини з вільною поверхнею. Тестування моделі та її застосування для дослідження задач геофізичної гідродинаміки довгих проток.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження формування домінуючих станів кисню, що утворюються в кремнії при одночасній дії радіації та високої температури. З’ясування впливу важких ізовалентних домішок олова і свинцю на ефективність формування індукованих станів кисню в кремнії.
автореферат, добавлен 29.09.2014Фізичні основи промислово-перспективних технологій виготовлення робочих плівкових елементів різного функціонального призначення з підвищеною електропровідністю, відтворюваністю властивостей і надійністю. Умови дифузійного формування нанорозмірних плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2014Формування полікристалічними структур. Метод, заснований на реєстрації флуктуацій інтенсивності розсіяного випромінювання. Кореляційно-оптичний метод визначення функції розподілу частинок за розмірами порошків при будь-якому показнику їх заломлення.
автореферат, добавлен 29.07.2015