Полупроводниковые материалы
Твердые растворы полупроводниковых соединений, их свойства и область их применения. Зависимость запрещенной зоны твердых растворов от их состава. Полупроводниковые соединения, состоящие из двух элементов, признаки образования твердого раствора.
Подобные документы
Виды пробоя диэлектриков, механизмы их протекания. Основные характеристики диэлектрических жидкостей. Область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла. Точечные и планарные полупроводниковые диоды.
контрольная работа, добавлен 31.01.2022Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Рассмотрение способов и основных этапов создания инжекционных лазеров. Знакомство с особенностями влияния состава на люминесцентные свойства твердых растворов в системе SIС-ALN. Характеристика методики получения эпитаксиальных слоев твердых растворов.
статья, добавлен 02.02.2020Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Рассмотрение особенностей и формы рентгеновских спектров исследованных соединений на основе рассчитанных локальных парциальных плотностей электронных состояний. Анализ концентрационных зависимостей ширины валентной и запрещенной полос твердых растворов.
автореферат, добавлен 01.05.2018Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Использование гетеропары GaAs/AlGaAs, создаваемой эпитаксиальным ростом. Эффект автомодуляции состава твердых растворов. Электронно-лучевая пушка с термоэмиссионным катодом. Зависимость давления пучков галлия и мышьяка от угла ориентации подложки.
курсовая работа, добавлен 14.01.2014Механическая прочность образцов твердых растворов системы Bi-Sb. Зависимость магнитосопротивления от напряженности магнитного поля. Уменьшение концентрации центров рассеяния при термообработке. Действие силы Лоренца. Напряженность магнитного поля.
статья, добавлен 11.07.2018Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Влияние наноструктурирования материалов, введения в полупроводниковые материалы наноструктурных элементов на их электрофизические и другие свойства. Увеличение преобразующих свойств наноструктурированного преобразователя электромагнитного излучения.
статья, добавлен 16.11.2018Полупроводниковые материалы для солнечных элементов. Солнечные элементы для преобразования концентрированного солнечного излучения: генераторы и пр. Определение коэффициента полезного действия и метрологических характеристик солнечных элементов и батарей.
дипломная работа, добавлен 12.11.2015Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Фотоэлектрическое преобразование энергии солнца. Полупроводниковые материалы для солнечных элементов. Определение коэффициента их полезного действия и метрологических характеристик. Измерение параметров излучения на имитаторах и в натурных условиях.
дипломная работа, добавлен 07.07.2015Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Систематизация силовых полупроводниковых преобразователей в соответствии с принципиальными особенностями схемы и функциональным назначением; с областью применения; с мощностью; с особенностями конструкции; со способом охлаждения. Способы охлаждения.
контрольная работа, добавлен 10.09.2012Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Особенности обратного тока варизонной pn-структуры, в которой ширина запрещенной зоны возрастает с увеличением расстояния. Предсказание возможности возникновения в случае больших градиентов ширины запрещенной зоны на ветви вольт-амперной характеристики.
статья, добавлен 23.06.2013Определение ширины запрещенной зоны германия на основании измерений температурной зависимости электропроводимости. Вид лабораторной установки. Результаты измерений и вычислений. Зависимость электропроводимости материала от температуры. Пример расчетов.
лабораторная работа, добавлен 26.12.2014Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009- 24. Лазер
Лазер представляет собой источник монохроматического когерентного света с высокой направленностью светового луча. Лазерная технология. Газовые лазеры. Полупроводниковые лазеры. Область применения лазеров. Перспективы развития. Историческая справка.
реферат, добавлен 22.11.2008 Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015