Теоретическое исследование свойств полупроводниковых структур, состоящих из чередующихся асимметричных прямоугольных потенциальных ям и барьеров

Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.

Подобные документы

  • Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.

    лабораторная работа, добавлен 22.05.2022

  • Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.

    реферат, добавлен 16.11.2013

  • Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.

    реферат, добавлен 24.05.2015

  • Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.

    контрольная работа, добавлен 17.10.2011

  • Анализ характеристик усилителей на резонансно-туннельных диодах с помощью метода медленно меняющихся амплитуд при больших сигналах и при работе на частотах, близких к резонансной. Зависимости относительной полосы пропускания от параметров схемы усилителя.

    статья, добавлен 31.10.2017

  • Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).

    лабораторная работа, добавлен 04.12.2017

  • Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.

    методичка, добавлен 04.10.2012

  • Ознакомление с преимуществами периодических электродинамических структур. Изучение и характеристика принципа построения псевдопериодических слоистых сред. Разработка программы расчета свойств электромагнитных волн в псевдопериодической слоистой среде.

    статья, добавлен 05.11.2018

  • Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.

    презентация, добавлен 06.05.2019

  • Электрическая энергия и ее подача к потребителям в виде трехфазного или однофазного переменного тока. Классификация диодов: выпрямительные, стабилитроны и стабисторы, универсальные и импульсные, варикапы, специфика туннельных и обращенных диодов.

    реферат, добавлен 13.11.2014

  • Решение параболического уравнения для волн в среде неоднородного диэлектрика. Проверка алгоритма на примере исследования фокусирующих свойств цилиндрических линз Микаэляна и Максвелла. Расчет поля антенны на основе градиентной и радиально-слоистой линзы.

    статья, добавлен 05.11.2018

  • Распространение электромагнитных волн прямого и обратного направлений в многослойной структуре с периодической неоднородностью, барьеры которой обладают магнитодиэлектрическими свойствами. Анализ распространения гиромагнитной и гироэлектрической волн.

    статья, добавлен 05.11.2018

  • Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.

    лабораторная работа, добавлен 28.06.2015

  • Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.

    реферат, добавлен 27.12.2010

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.

    книга, добавлен 19.10.2013

  • Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

    реферат, добавлен 16.10.2017

  • Распространение одномерных и электромагнитных волн в многослойной структуре с периодической неоднородностью. Линейно-синусоидальный тип распределения, обусловленный диссипацией среды. Переход свойств структуры от диэлектрических к металлическим.

    статья, добавлен 05.11.2018

  • Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.

    методичка, добавлен 18.05.2010

  • Основы построения математических моделей поверхностных акустических волн в упругих средах. Основные понятия и частные случаи поверхностных акустических волн. Уравнения движения с граничными условиями. Практическое использование акустических волн.

    курсовая работа, добавлен 05.09.2015

  • Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.

    автореферат, добавлен 13.04.2018

  • Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.

    лекция, добавлен 06.09.2017

  • Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.

    статья, добавлен 08.04.2019

  • Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.

    книга, добавлен 19.03.2015

  • Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.

    автореферат, добавлен 14.04.2018

  • Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.

    курсовая работа, добавлен 08.10.2017

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.