Разработка интегральной микросхемы
Характеристика эскизов диффузионных резисторов на основе базовой и эмиттерной областей, которые сформированы по планарно-эпитаксиальной технологии. Контактная площадка интегральной полупроводниковой микросхемы – металлизированный участок на кристалле.
Подобные документы
Анализ режима работы схемы по постоянному току. Рассмотрение последовательности операций планарно-эпитаксиальной технологии. Выбор конструкции транзисторов в составе ИС. Расчет параметров обедненных слоев. Определение параметров диффузионных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.09.2015Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
курсовая работа, добавлен 25.12.2012Устройство для оперативной проверки работоспособности интегральной микросхемы (ИМС) по принципу "годен" - "не годен". Микропроцессорный контроллер для тестирования ИМС. Выбор микропроцессора и элементов схемы. Подпрограмма тестирования микросхемы.
курсовая работа, добавлен 16.07.2009Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Специфика разработки структурной и принципиальной схемы. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов, особенности разработки топологии. Характеристика этапов изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 01.12.2014Разработка синхронной схемы и триггерного устройства. Схема счетчика реализованного на Т–триггерах. Листинг программы работы схемы на языке С++. Проектирование интегральной микросхемы, выполняющей заданные функции преобразования цифровой информации.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Зарождение микроэлектроники как научно-технического направления, обеспечивающего создание радиоэлектронной аппаратуры. Интегральные микросхемы и этапы развития интегральной электроники. Роль тонкопленочной технологии в развитии интегральной электроники.
реферат, добавлен 20.06.2016Внедрение новой радиоэлектронной техники. Интегральные микросхемы как самые массовые изделия современной микроэлектроники: общие сведения, особенности процесса сборки интегральных схем (пайка, сварка, приклеивание, присоединение и герметизация).
курсовая работа, добавлен 05.12.2010Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Назначение корпуса интегральной микросхемы (ИМС). Выводы корпусов ИМС, особенности их монтажа. Схема размещения корпусов ИМС на печатной плате, ее зависимость от конструкции платы и компоновки на ней элементов. Бескорпусные и корпусные микросхемы.
отчет по практике, добавлен 19.12.2016Метод диэлектрической изоляции. Комбинированная изоляция элементов интегральной микросхемы. Последовательность операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых интегральной микросхемы с диэлектрической изоляцией элементов.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2013Разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования "VITUS". Топологии микросхемы, расчет геометрических размеров элементов.
курсовая работа, добавлен 25.03.2010Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 16.08.2014Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя с помощью метода масочного формирования ГИС. Приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, материалов подложки, навесных элементов. Площадь занимаемая пленочными элементами.
контрольная работа, добавлен 25.05.2012Разработка конструкций пленочных резисторов и конденсаторов. Расчет надежности гибридной интегральной схемы. Анализ требований к корпусу. Обеспечение вакуумно-плотной герметизации микросхемы. Создание топологического чертежа механизма и его оптимизация.
курсовая работа, добавлен 08.06.2016Особенности асинхронных счетчиков и разработка алгоритма работы микросхемы (описание и блок-схема). Временные диаграммы работы микросхемы и функциональная схема устройства. Условно-графическое обозначение и технические характеристики микросхемы.
реферат, добавлен 18.12.2014Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Описание технологии изготовления микросхемы операционного усилителя. Цоколевка, электрическая схема, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы. Технологические процессы монтажа и демонтажа микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 22.03.2018Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Выбор метода разработки конструкции микросхемы и технологического маршрута ее производства. Определение размеров кристалла полупроводниковой схемы, количество контактных площадок платы. Принципы проектирования резисторов, расчет пленочного конденсатора.
курсовая работа, добавлен 25.05.2015Понятие и назначение интегральной микросхемы и история ее создания. Строение и классификация цифровых интегральных микросхем. Разновидности технологии изготовления интегральных микросхем и методы технологического контроля их качества при производстве.
курсовая работа, добавлен 04.09.2014Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Требования к тонкопленочным резисторам и конденсаторам, особенности и исходные данные для их расчета. Подбор навесных компонентов. Расчет площади подложки. Выбор материала диэлектрика. Бескорпусные аналоги транзисторов. Принципиальная электрическая схема.
контрольная работа, добавлен 19.09.2015Разработка технических требований на микросхему. Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов. Определение размера платы и выбор типоразмера корпуса. Расчет теплового режима резисторов. Очистка поверхности и контроль подложек. Нанесение тонких плёнок.
курсовая работа, добавлен 10.08.2015