Технологічні методи керування структурою епітаксійних шарів і монокристалів GaAs

Аналіз температурно-часових характеристик процесу термообробки монокристалів напівізолюючого нелегованого GaAs з різною стехіометрією й структурою дислокацій. Розробка технологічних режимів керування електрофізичними параметрами епітаксійних шарів GaAs.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.