Электропроводность полупроводников
Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
Подобные документы
Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Назначение и использование стенда для исследования влияния температуры на удельную электропроводность полупроводников. Определение зависимости электропроводности полупроводников от температуры. Лабораторное исследование кремниевого полупроводника.
статья, добавлен 11.01.2020Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.
учебное пособие, добавлен 11.10.2014Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.
лекция, добавлен 09.12.2013Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017- 11. Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне ферми двумерной электронной системы
Немонотонная зависимость туннельной плотности состояний на ферми-уровне от магнитного поля. Изменения формы фононных линий и достижения условий близости к резонансному поляронному состоянию. Изучение изготовленной молекулярно-лучевой эпитаксией структуры.
статья, добавлен 03.11.2018 Ферми поверхность – изоэнергетическая поверхность, ограничивающая в пространстве квазиимпульсов область энергетических состояний, занятых электронами проводимости. Ферми-Дирака статистика – квантовая статистика для систем тождественных фермионов.
презентация, добавлен 23.09.2016Выяснение зависимости сопротивления проводника от температуры. Изучение явления сверхпроводимости. Анализ теории электропроводности металлов. Расчет работы и мощности тока по закону Джоуля-Ленца. Исследование правил Кирхгофа для разветвленных цепей.
контрольная работа, добавлен 01.10.2015Общая характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность органических полупроводников. Свойства, лежащие в основе функционирования OLED дисплеев. Основные направления оптоэлектроники, использующих органические полупроводники.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016Создание безвредных для организма диагностических приборов. Получение пространственного распределения электропроводности биологических тканей по результатам измерения потенциалов на поверхности тела, возбуждаемых внешним источником электрического тока.
статья, добавлен 30.05.2017Основные причины развития нанотехнологии. Главные этапы развития информационных технологий и их реальная основа. Транзисторные схемы и их планарная реализация. Основные уровни энергии электронов в потенциальной яме и плотность энергетических состояний.
шпаргалка, добавлен 03.05.2019Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Рассмотрение содержания эффекта Оже и глубины выхода оже-электронов. Реализация метода оже-спектроскопии и регистрация оже-электронов. Энергоанализаторы оже-электронов. Основное уравнение и количественная оже-спектроскопия. Применение оже-спектроскопии.
реферат, добавлен 01.05.2020Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 01.09.2013Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Описание процессов в электрических элементах и узлах аппаратуры. Характеристика электропроводности и эффектов полупроводников. Функционирование электронно-дырочных и металлополупродниковых переходов. Общее описание устройства полупроводниковых приборов.
книга, добавлен 26.03.2011Взаимодействие движущихся электронов с электрическим полем как основной процесс во всех электронных приборах. Характеристика движения электронов в вакууме в электрическом и магнитном полях, в ускоряющем и тормозящем поле, и в однородном поперечном поле.
контрольная работа, добавлен 18.04.2015