Электронно-дырочный переход, его применение
Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
Подобные документы
Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.
реферат, добавлен 05.11.2017Сущность и описание процесса диффузии. Закономерности протекания диффузии. Определение роли диффузии в получении растворов. Практическое применение осмоса. Применение диффузии в технике и в повседневной жизни. Анализ вредных проявлений диффузии.
практическая работа, добавлен 05.12.2018Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.
реферат, добавлен 16.03.2011Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015Свойства электронных пучков и их применение. Отклонение электронных потоков, идущих от Солнца, в магнитном поле Земли. Сущность и принцип работы электронно-лучеовй трубки - прибора для исследования быстропеременных процессов в электрических цепях.
презентация, добавлен 25.03.2016Светодиод или светоизлучающий диод как полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрический ток. История разработки и усовершенствования электронно-дырочного перехода. Долговечность и надежность светодиода.
реферат, добавлен 29.08.2015Технологическое применение плазмы. Процесс электрохимического полирования. Электронный луч как технологический инструмент. Схема электроннолучевой установки. Сущность ультразвукового контроля металлических изделий. Применение метода многократной тени.
контрольная работа, добавлен 30.01.2013Полупроводники с собственной, электронной и дырочной проводимостью. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Контакт между полупроводниками одинакового типа проводимости. Концентрация примесей, воздействия светового и ионизирующего излучений.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Исследование процессов разогрева решетки и кинетики установления термо-эдс горячих носителей; определение их теплопроводности. Влияние разогрева электронно-дырочного газа на кинетику установления переходных процессов в сильных сверхвысокочастотных полях.
статья, добавлен 22.06.2015Общие сведения о полупроводниках - веществах, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Характеристики p-n-перехода. Суть процесса легирования – добавления посторонних элементов.
лекция, добавлен 03.10.2012Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009Электрический пробой как лавинный пробой, связанный с тем, что носитель заряда на длине свободного пробега приобретает энергию, достаточную для ионизации молекул кристаллической решётки. Вольтамперная характеристика электрического пробоя p-n перехода.
лабораторная работа, добавлен 23.12.2015Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.
реферат, добавлен 20.11.2011Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013- 24. Процесс диффузии
Перемещение вещества вследствие теплового движения. Свойства неравновесной системы. Локальные термодинамические параметры. Градиент химического потенциала. Применение правил действий с дифференциальными операторами для решения уравнения диффузии.
курсовая работа, добавлен 07.07.2016 Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009