Структурні характеристики багатошарової системи InxGa1-xAs1-yNy/GaAs за даними двокристальної Х-променевої дифрактометрії

Особливості розсіяння Х-променів у багатошарових нанорозмірних системах, що містять квантові ями. Визначення концентрацій азоту у квантових ямах і буферних шарах. Створення програмного забезпечення для розрахунку кривих дифракційного відбивання.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.