Розрахунки залежності ВАХ діода Шотткі за різних умов за допомогою системи Mathcad
Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
Подобные документы
Дослідження нанорозмірної субструктури металів. Механізми впливу вакуумного осадження на механічні властивості ГЦК-металів. Дослідження дисипативних властивостей, температурна залежність субструктури зерен та величини мікротвердості конденсатів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Визначення граничних втрат перетворення і шумових характеристик діодів з бар’єром Шотткі з високою критичною частотою, умов та способів їх реалізації у змішувачах 3-мм діапазону. Створення на основі останніх приймальних систем з рекордною чутливістю.
автореферат, добавлен 29.09.2014Визначення граничних втрат перетворення і шумових характеристик діодів з бар'єром Шотткі з високою критичною частотою, умов та способів їх реалізації у змішувачах 3-мм діапазону, створенні на основі останніх приймальних систем з рекордною чутливістю.
автореферат, добавлен 29.09.2015Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Умови осадження полікристалічних плівок ZnO методом хімічного осадження з парової фази металоорганічних вихідних реагентів, при підсиленні плазмовим розрядом. Вплив галію на структуру, морфологію, електричний опір та спектр оптичного пропускання плівок.
автореферат, добавлен 26.08.2015Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Систематичне експериментальне вивчення змін складу, структури та властивостей плівок систем Zr-B та V-B. Оцінювання умови формування та зростання конденсатів, які отримують за допомогою систем ІПР. Осадження високотвердих наноструктурних плівок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Основні поняття і формули: електропровідність металів та напівпровідників, статистика електронів у металах. Основні подання зонної теорії, гальваномагнітний ефект Холла. Електричні властивості та ємність p-n-переходів. Приклади розв'язування задач.
методичка, добавлен 24.06.2014Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Електрохімічні основи гальванічного осадження, гальванічні покриття. Закон Фарадея: вихід за струмом і товщина шару. Імпульсне осадження. Механізм осадження і закономірності формування покриттів. Схема електролізної чарунки для гальванічного осадження Cu.
реферат, добавлен 20.06.2015Вирішення науково-технічної проблеми щодо одержання підвищеного комплексу міцнісних та пластичних властивостей металів на основі встановлення умов направленої зміни структурного стану. Фізичні властивості та механічна поведінка металевих матеріалів.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідженню впливу фонових домішок і структурних дефектів на формування та фізичні властивості розбавлених твердих розчинів. Основні мови виникнення аномалій фізичних властивостей. Вивчення процесів одержання слабколегованих шарів кремнієвих композицій.
автореферат, добавлен 15.11.2013Фізичні властивості металів. Електрична провідність та значення потенціалу іонізації. Зміни в будові кристалічної решітки. Процес хімічного руйнування металів під дією навколишнього середовища. Зменшення електричної провідності з ростом температури.
реферат, добавлен 03.04.2016Вплив азоту та потужності розряду на оптичні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок, отриманих методом плазмово-стимульованого осадження з газової фази. Вплив ультрафіолетового та гамма-опромінення на властивості кремнієвих сонячних елементів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Моделювання процесів формування неоднорідних градієнтних шарів на основі теорії самоорганізації та дисипативних структур. Встановлення закономірностей впливу хімічного елементу на фізичні властивості модифікованих тонкоплівкових і об’ємних структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Поняття термінів Еталон та Яскравість. Вимірювання яскравості: засоби та методи. Поняття скла та його фізичні властивості. Особливості молочного та матового скла. Математичний опис тіла напруження випромінювача та габаритно-енергетичний розрахунок.
дипломная работа, добавлен 02.07.2014Механізми впливу мікрорельєфу поверхні напівпровідників на внутрішній фотоефект в контакті метал-напівпровідник в області зона-зонної фотогенерації носіїв струму, за умов внутрішньої фотоемісії в контакті, при збудженні поверхневих плазмових поляритонів.
автореферат, добавлен 23.02.2014Методика вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Залежність опору металів від температури. Вимірювання плечей реохорда в одиницях шкали реохорда. Вимірювання загального опору резисторів і досліджуваної котушки при кімнатній температурі.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017- 24. Епітаксіальні надгратки та квантові структури з монохалькогенідів свинцю, олова, європію та ітербію
Теоретичне встановлення закономірностей та ефектів, пов’язаних з переходом до низьковимірного стану епітаксіальних надграток з халькогенідних напівпровідників з невідповідністю грат суміжних шарів. Електричні, оптичні та магнітні властивості надграток.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Комплексне теоретичне та експериментальне дослідження структурних і електрофізичних характеристик багатофазних шаруватих систем на основі кремнію, а також впливу віддзеркалювальних шарів на властивості фотоперетворювальних і транзисторних композицій.
автореферат, добавлен 23.11.2013