Морфологія поверхні та оптичні властивості (In,Ga)As/GaAs та InAs/AlSb наноструктур
Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
Подобные документы
Влив температури нітридизації, величини поруватості підкладок GaAs на кристалографічні, оптичні (комбінаційне розсіювання світла) властивості гетероепітаксійних плівок GaN. Залежність між величиною поруватості підкладок і типом кристалічної гратки плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2014Оптичні методики вивчення особливостей процесів фотолюмінесценції та комбінаційного розсіювання світла у самоіндукованих наноострівцевих структурах CdSe/ZnSe. Технологічні параметри отримання квантових точок в одношарових та багатошарових наноструктурах.
автореферат, добавлен 11.08.2014Особенность установления концентрационного порога заполнения, при котором начинается заселение возбужденной подзоны размерного квантования. Анализ идентификации доминирующих механизмов рассеяния в сильнолегированных гетероструктурах типа InAs/AlSb.
автореферат, добавлен 01.09.2018Оптичні та структурні властивості тонких кремнієвих та германієвих шарів. Самоіндукований ріст Si/Ge наноострівців, утворення акустичних фотонів та вплив інтердифузії на компонентний склад і пружну деформацію, її визначення за допомогою спектроскопії.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014Вивчення за допомогою електричних вимірювань і структурного аналізу впливу низькотемпературної деформації на електричні властивості кристалів германію. Аналіз комп’ютерної методики для розрахунку напружень у зразках, що виникають при дії деформації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури металу-напівпровіднику з проміжним шаром різної фізико-хімічної природи, їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури. Вивчення деградації напівпрозорих металевих плівок.
автореферат, добавлен 21.11.2013Створення масиву наночастинок Au на напівпровідникових плівках CdS термічним відпалюванням у вакуумі плівок золота товщиною 6 нм. Дослідження морфології поверхні плівок CdS, покритих масивом наночастинок золота, визначення середніх розмірів наночастинок.
статья, добавлен 13.10.2016Розробка математичної моделі дифузії домішок азоту та їх взаємодії з атомами підґратки миш’яку. Визначення вливу температури нітридизації і величини поруватості підкладок на кристалографічні, морфологічні та оптичні властивості гетероепітаксійних плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вплив домішкового кисню на браковону структуру. Фізичні властивості напівпровідникових з’єднань. Типи заміщення атомів сірки. Дія точкових дефектів на оптичні властивості гетеросистем. Радіаційна стійкість твердих розчинів методом іонолюмінесценції.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження властивостей наноструктурованих металізованих напівпровідникових підкладок для спектроскопії поверхнево підсиленого комбінаційного розсіювання світла. Морфологічні параметри срібних острівцевих плівок, сформованих на кремнієвій основі.
автореферат, добавлен 29.07.2015Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розробка нових акусто-оптичних методик дослідження об’ємних монокристалів та сучасних низькорозмірних структур - напівпровідникових гетеропереходів, квантових ям та мікрокристалітів. Спостереження нових порогових акусто-оптичних ефектів у твердих тілах.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження перебудови локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних та циліндричних квантових точках різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації. Аналіз матеріалу квантової точки, оточуючої матриці та зовнішнього тиску.
автореферат, добавлен 30.08.2014Процеси фазоутворення на поверхні Cu, GaAs, ZnSe в атмосфері хлору, стимульованих впливом УФ випромінювання. Дослідження залежності квантового виходу фотореакцій від тиску активного газу, температури підкладки, часу експозиції та енергії фотонів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 22. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018