Исследование биполярного транзистора
Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
Подобные документы
- 101. Понятие вольтметра
Назначение и параметры устройства. Настройка генератора звуковой частоты. Приставка-вольтметр постоянного тока. Расчёт сопротивлений резисторов. Проверка высокоомных цепей. Подключение истока индикатора. Защита транзистора от возможных перегрузок.
доклад, добавлен 22.01.2014 Основные сведения о назначении прибора с обоснованием выбора типа лазера. Описание основных физических процессов в приборе. Расчёты основных геометрических, энергетических, электрических и оптических параметров лазерного устройства и схемы его включения.
курсовая работа, добавлен 26.10.2012Расчет параметрического стабилизатора постоянного напряжения на кремневом стабилитроне. Режим работы транзистора и коэффициент усиления по напряжению. Основные сведения, классификация, назначение, интегральные микросхемы регистров, их основные параметры.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014- 104. Транзисторный каскад
Порядок выбора транзистора и напряжения источника питания UП для усилительного транзисторного каскада. Расчет амплитуды напряжения источника сигнала UGm. Характеристика емкости конденсаторов, их номинал. Входное и выходное сопротивления RВХ и RВЫХ.
контрольная работа, добавлен 03.04.2017 Академик Ж.И. Алферов о процессах, происходящих в российском естествознании на пороге третьего тысячелетия. Рождение квантовой физики. Открытие Джоном Бардином, Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном первого транзистора. Сущность явления сверхпроводимости.
реферат, добавлен 02.04.2012Дослідження впливу рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора 2Т363А. Збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду кристалу.
статья, добавлен 07.12.2016Основные параметры транзистора. Расчеты по заданным искажениям в области нижних частот с помощью коэффициентов частотных искажений. Оптимальное напряжение на эмиттере. Номиналы элементов, приведенные к стандартному ряду. Расчет оконечного каскада.
курсовая работа, добавлен 31.08.2012Разработка расчетной схемы электродугового плазмотрона, определение его основных геометрических параметров. Исследование зависимости температуры плазменной струи от силы тока дуги, расчет вольтамперной и тепловой характеристик. Применение плазмотрона.
курсовая работа, добавлен 24.10.2009Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.
реферат, добавлен 19.02.2011Расчет токов ДТЛ схемы, статические характеристики. Расчет потребляемой мощности схемы. Определение логических уровней U0вых, U1вых по заданным формулам. Схемы измерения входной, передаточной и выходных характеристик ДТЛ-элемента при использовании ПНСХ.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2011Энергетические зоны примесей и дефектов. Локализация электронных состояний на дефекте структуры. Теория туннельного эффекта. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннелирование электронов в твёрдых телах. Работа квантового транзистора.
контрольная работа, добавлен 23.04.2024Разработка схемы плазмотрона, расчет его основных геометрических параметров. Исследование зависимости электрической мощности от расхода рабочего газа. Определение технологического применения плазматрона, его вольт-амперных и тепловых характеристик.
курсовая работа, добавлен 28.02.2015Изучение принципов работы и определение основных характеристик спектрального прибора на примере спектрографа ИСП-51. Построение оптической схемы устройства. Расчет графика зависимости положения спектральной линии, на фокальной плоскости, от длины волны.
лабораторная работа, добавлен 01.12.2012Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.
реферат, добавлен 15.12.2015Методы, помогающие в изучении физики в средней школе. Электромеханические аналогии (электромагнитные и механические колебания, волновые процессы, изучение транзистора, электрические цепи, постулаты Бора). Изучение аналогий на факультативах и кружках.
учебное пособие, добавлен 19.03.2010Общая характеристика лазерного модуля типа DL-3147-021, анализ основных параметров. Знакомство с методикой и способами определения параметров фотодиодов. Рассмотрение этапов расчета фототока фотодиода с учетом модуляции, рассмотрение особенностей.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2019Источники напряжения и тока, предназначенные для воспроизведения параметров сети переменного тока, их принципы построения, приведены структурные схемы. Характеристики выходных усилителей мощности генераторов-калибраторов и метрологического оборудования.
статья, добавлен 30.01.2016Контроль параметров электроэнергетической системы, сохранение ее живучести. Процесс включения трехфазной нагрузки путем замыкания ключа, включения двухфазного короткого замыкания на шины предварительно-нагруженного генератора. Величина скачка параметров.
реферат, добавлен 27.09.2012Основные способы осуществления исходного режима транзистора. Изменение выходного тока вызванные факторами, действующими при колебаниях температуры окружающей среды. Стабилизация исходного режима. Принципиальная схема каскада с коллекторной стабилизацией.
реферат, добавлен 27.06.2015Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Вклад возможных выходных каналов фотоядерных реакций при определении параметров гигантского дипольного резонанса. Основные методы использования кода EMPIRE II при проведении расчетов. Полная ширина распада компаунд-ядра для всех выходных каналов.
статья, добавлен 11.11.2013Принципы построения усилительных устройств. Построение усилительного каскада на электронной лампе и полевых транзисторах. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме АЭУ. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
реферат, добавлен 07.01.2015Вибір транзистора та розрахунок режиму роботи вихідного каскаду. Розрахунок необхідного значення глибини зворотного зв'язку. Визначення кількості каскадів підсилювача та вибір транзисторів. Вибір схеми кола підсилення та розрахунок за постійним струмом.
контрольная работа, добавлен 17.05.2016Анализ входных параметров метода определения дальности до источников радиоизлучения (ИРИ) в многопозиционных пассивных комплексах с использованием функций параметрической чувствительности. Анализ характерного вида семейств коэффициентов чувствительности.
статья, добавлен 25.11.2016Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017