Получение зависимости вольт-амперной характеристики диода от температуры и построение термометра на его основе
Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
Подобные документы
Анализ измерений абсолютного давления с помощью датчика пьезорезисторного посредством встроенного кремниевого пьезорезистора. Зависимость выходного напряжения от давления при комнатной температуре. Характеристика вычисления коэффициента линейности.
отчет по практике, добавлен 04.12.2018Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Применение высокочастотных транзисторных источников питания в установках индукционного нагрева. Схема построения замкнутой системы управления инвертора. Процесс нагрева с обратной связью по температуре. Схема транзисторного инвертора напряжения.
статья, добавлен 10.03.2018Подання характеристики радіовимірювального перетворювача витрат газу з частотним виходом у вигляді автогенераторної схеми з витраточутливим елементом на основі біполярного транзистора. Визначення вольтамперної характеристики та частоти генерації.
статья, добавлен 27.07.2016Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017Характеристика СВЧ установок и их рабочих камер. Анализ принципиальных схем, функционирования и устройства магнетрона, блока питания к нему, высоковольтного диода. Блок управления и ввода информации. Меры безопасной работы при ремонте и регулировке.
контрольная работа, добавлен 20.05.2010- 109. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Метрологические характеристики сигналов генераторов. Изучение причин появления методических погрешностей. Расчёт амплитуды и периода сигнала, их нестабильности и коэффициента гармоник. Анализ предельных значений искажений выходного синусоидального кода.
статья, добавлен 01.12.2017- 111. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Волоконные световоды и оптические кабели. Распространение световых волн вдоль оптического волокна. Источники излучения и оптические модуляторы. Отличие суперлюминесцентного и светоизлучающего диода. Основные элементы фотоприемника. Схема линейного тракта.
контрольная работа, добавлен 29.10.2013Осуществление программным способом аппаратного наращивания разрядности обрабатываемых данных с помощью микропроцессора КР580. Структурная схема устройства. Модель полупроводникового диода в режиме большого сигнала. Алгоритм работы микропроцессора.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013Построение логарифмической амплитудной частотной характеристики. Определение передаточной функции замкнутой системы. Построение динамических характеристик заданной системы автоматического регулирования температуры с помощью программной системы MatLab.
курсовая работа, добавлен 27.11.2014Анализ особенностей создания инверсной населенности в полупроводниках. Характеристика идеальной зонной схемы для гетероперехода в условиях равновесия. Энергетическая диаграмма активных структур инжекционного лазера. Спектр излучения лазерного диода.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014- 117. Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
лекция, добавлен 26.10.2013 Диагностика механизма привода лазерного проигрывателя, характеристика схем обработки цифровых сигналов. Последствия нарушений работы ограничительного диода и системы автофокусировки. Выявление неисправностей схем отслеживания, устранение проблем.
реферат, добавлен 25.01.2015Исследование величины и формы пульсаций выходного напряжения в зависимости от величины потерь в конденсаторе и дросселе выходного фильтра и коэффициента заполнения импульсов на входе сглаживающего фильтра. Анализ устойчивости системы электропитания.
автореферат, добавлен 31.07.2018Функциональная схема системы регулирования температуры. Определение передаточной функции замкнутой системы. Построение переходной и импульсной характеристики, логарифмической амплитудной частотной и логарифмической фазовой частотной характеристик.
курсовая работа, добавлен 08.05.2015Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021- 122. Полупроводники
Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.
лекция, добавлен 09.12.2013 Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Характеристика бесконтактного и люминесцентного методов измерения температуры. Разработка электрической структурной и функциональной схемы. Обоснование выбора микросхем, резисторов, конденсаторов и диодов. Анализ создания трассировки печатной платы.
дипломная работа, добавлен 24.06.2015