Твердотельная электроника
Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
Подобные документы
Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Создание spice-модели компонентов для моделирования схемы в среде Altium Designer. Определение параметров полупроводниковых приборов, индуктивных элементов и цифровых компонентов. Методика расчетов в процессе проектирования цифровых электронных схем.
курсовая работа, добавлен 26.10.2017Учение о строении атомов и молекул. Сведения о полиморфных превращениях углерода, о наноуглеродных трубках и способах их получения. Свойства растворов неэлектролитов и электролитов. Физико-химические свойства металлов, полупроводников и диэлектриков.
учебное пособие, добавлен 19.08.2017- 79. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Рассмотрение основных принципов сложения мощности усилителей в выходных каскадах твердотельных передающих устройств радиолокационных станций (РЛС). Результаты измерений в выходных каскадах реальных передающих устройств РЛС. Мощность СВЧ-передатчиков.
статья, добавлен 02.04.2019Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016- 82. Электроника
Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводниковые приборы: физические основы работы, параметры, модели, применение. Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем. Приборы вакуумной электроники.
презентация, добавлен 23.01.2014 Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013Физические основы полупроводников. Структура и принцип действия транзистора. Применение тиристора в управляемом выпрямителе. Устройства промышленной электроники. Логические функции и логические схемы. Трехразрядный двоичный счетчик на вычитание.
учебное пособие, добавлен 05.07.2013История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Изучение измерений на оптоволоконном тракте. Анализ параметров, измеряемых при строительстве оптоволоконного тракта, сдаче в эксплуатацию, эксплуатации и по окончании ремонтно-восстановительных работ. Характеристика оптических измерительных приборов.
научная работа, добавлен 23.04.2012Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013Понимание причинности наблюдаемости области гидрофизических возмущений от подводного движущегося объекта лидаром и радаром. Значимость рассматриваемого явления. Явления, сопровождающие лазерное излучение в условиях квазистационарной морской среды.
курсовая работа, добавлен 04.11.2019Электрические и магнитные цепи. Электромагнитные устройства и электрические машины. Элементная база электронных устройств. Основы аналоговой и цифровой электроники. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Расчет сглаживающего фильтра.
методичка, добавлен 26.09.2017Расчет вольтамперной характеристики и идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения. Определение дифференциального сопротивления линейного участка. Анализ принципиальной схемы усилителя. Обзор принципа работы и параметров фотодиода.
задача, добавлен 28.10.2011Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015Классификация метода ВЧ-навязывания. Описание физических принципов этого процесса, оценка факторов эффективности. Классификация закладных устройств. Характеристика типов закладных устройств. Эффективная защита приборов от воздействия внешних полей.
контрольная работа, добавлен 18.12.2011Структура курса "Электроника". Темы курса. Краткий конспект лекций курса. Физические основы электроники. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры и семисторы. Усилительный каскад на транзисторе и его параметры.
курс лекций, добавлен 20.07.2013Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Способы обнаружения загрязнителей атмосферного воздуха. Разработка мультисенсорных систем типа "электронный нос". Исследования газоадсорбционных характеристик процесса сорбции. Преимущества применения твердотельных сенсоров для анализа концентрации газов.
статья, добавлен 30.07.2017