Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
Подобные документы
Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
автореферат, добавлен 14.10.2015Проектування прожектора лазерного растрового підсвічування, який базується у блоці з пружного матеріалу розмірами 100х100 мм, та в якому розміщені 10 напівпровідникових лазерів ІЧ-випромінювання. Керування розбіжним віялом світлових пучків лазерів.
статья, добавлен 29.10.2016Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Характеристика унікальних властивостей лазерного випромінювання. Аналіз ширини спектральної лінії. Варіанти отримання лазерного променю. Перші розрахунки, можливості створення лазерів і перші патенти. Історія технологічного вдосконалення лазерів.
реферат, добавлен 06.11.2011Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження перетворення електромагнітних імпульсів структурами з осьовою симетрією: відкритими хвилеводними резонаторами, компактними неоднорідностями простору. Аналіз ефектів модового і частотно-модового розшарування надширокосмугових імпульсів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Розробка аналітичних і експериментальних методів визначення модового складу поля випромінювання круглих оптичних волокон і температурної залежності набігу фаз власних мод круглих оптичних волокон. Обертальний ефект Доплера в маломодових оптичних волокнах.
автореферат, добавлен 23.08.2014Дослідження опису генерації оптичного випромінювання у напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивними і квантоворозмірними активними шарами, взаємодії оптичного випромінювання з матеріалом активних елементів волоконно-оптичних систем.
автореферат, добавлен 22.04.2014Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Дослідження динаміки класичних та напівкласичних моделей одномодових твердотільних лазерів з різними модуляторами добротності методом біфуркації народження циклу. Основні біфуркаційні процеси в напівкласичних моделях одномодових лазерів біжучої хвилі.
статья, добавлен 23.10.2010Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу, які мають різну ступінь іонності. Експериментальна установка для комплексних досліджень.
автореферат, добавлен 28.06.2014Оцінка спектрів генерації випромінювання на моногалогенідах. Властивості отриманих ізотопних молекул. Розгляд особливостей випромінювання променів на моногалогенідах інертних газів. Вплив магнітного поля на спектр електричного розряду ексимерного лазеру.
автореферат, добавлен 05.01.2014- 17. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження спектрального складу випромінювання, що виникає при дії пучка іонів на матеріали з різним хімічним складом. Виявлення можливості практичного використання спектроскопії випромінювання вторинних частинок для елементного аналізу складу поверхні.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розвиток методу внутрішньо резонаторної аподизації як одного з методів керування профілем лазерного випромінювання. Використання профілю випромінювання імпульсних лазерів з плоскими дзеркалами, сформованого за участі нового класу аподизуючих селекторів.
автореферат, добавлен 25.06.2014Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження еволюції енергетичних характеристик лазерів на барвниках. Розробка та створення джерел субмікронного випромінювання. Аналіз імпульсно-періодичному режиму праці пристрою. Вивчення спектральної взаємодії електромагнітних хвиль з речовиною.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 23. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Характеристика процесів взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до появи нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу частинок, які слабо дифундують в напівпровідникових конструкціях.
автореферат, добавлен 14.10.2015