Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами
Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
Подобные документы
Визначення за допомогою електронного парамагнітного резонансу локальної структури та зарядового стану домішок і власних дефектів в сегнетоелектричних матеріалах. Встановлення моделей парамагнітних центрів. Розрахунок параметрів кристалічного поля.
автореферат, добавлен 22.04.2014- 2. Структура та властивості парамагнітних центрів СО2 в біологічному та синтетичному гідроксилапатиті
Процеси трансформації основних радіаційно-індукованих парамагнітних дефектів в гідроксилапатиті (ГАП) з часом. Вплив термічної обробки на дефектну підсистему ГАП. Попередники (прекурсори) радіаційних дефектів та місця їх локалізації в гратці апатиту.
автореферат, добавлен 28.09.2015 Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Фізичні процеси, що протікають на границях розділу твердотільних фаз при імплантації різних домішок. Механізм прискореної дифузії в кремнії та їх кластеризації за рахунок додатково введених точкових дефектів з наступними температурними обробками.
автореферат, добавлен 05.08.2014- 5. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Характеристика особливостей поширення світла в деформованих та дефектних рідкокристалічних структурах. Дослідження оптичної характеризації нових рідкокристалічних матеріалів, фаз і дефектів. Вивчення структурних перетворень дефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 28.08.2014Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014Виявлення механізмів формування структур і фізичних властивостей кристалічних середовищ різних типів з іонним, ковалентним і металевим зв'язками. Розробка методики моделювання впливу дефектів низької розмірності (домішок, вакансій, локальних вигинів).
автореферат, добавлен 28.07.2014Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження впливу ультразвукової обробки на перебудову радіаційних дефектів у бездислокаційних кристалах кремнію n-типу з високою концентрацією кисню, опромінених квантами. Теоретичний аналіз температурних залежностей концентрації та рухливості.
статья, добавлен 08.10.2013Природа радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах шаруватого та острівного борату. Вплив активації монокристалів рідкісноземельним елементом на створення дефектів під впливом іонізуючого випромінювання, на оптичні та сцинтиляційні характеристики.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідженню впливу фонових домішок і структурних дефектів на формування та фізичні властивості розбавлених твердих розчинів. Основні мови виникнення аномалій фізичних властивостей. Вивчення процесів одержання слабколегованих шарів кремнієвих композицій.
автореферат, добавлен 15.11.2013Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
автореферат, добавлен 20.07.2015Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Вплив дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу. Виявлення фазових переходів, зумовлених взаємодією дефектів собою, встановлення специфіки прояву переходів в тонких шарах SnTe і НГ SnTe/PbTe.
автореферат, добавлен 23.11.2013Оцінка розвитку півеліптичних корозійно-втомних тріщин у живильному трубопроводі енергоблоків залежно від форми наявних початкових дефектів. Схематизація розвитку тріщиноподібного дефекта стінки труби, діагностичний огляд корозійно-механічних дефектів.
статья, добавлен 17.12.2013Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Визначення закономірностей впливу концентрації дефектів, електричного поля та механічних напружень на температурну та часову динаміку модульованої структури оптичними та діелектричними методами. Кристалічні ґратки і послідовність фаз у кристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 22. Просторовий розподіл та місце локалізації в гратці радіаційних дефектів та домішок інертних газів
Типи радіаційних дефектів і їх просторовий розподіл. Захоплення і утримання дейтерію в сталі при підвищених температурах опромінення. Місце локалізації в гратці монокристала нікелю атомів ксенону і криптону, їх взаємодія з радіаційними дефектами.
автореферат, добавлен 27.07.2015 - 23. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження зсуву Найта і форми резонансних спектрів у телуридах свинцю-олова залежно від концентрації носіїв струму. Ознайомлення з особливостями розробленої методик детектування у напівпровідникових матеріалах з високою електричною провідністю.
автореферат, добавлен 26.08.2014 Побудова фізичної моделі зародження, росту і розчинення складної системи нано- і мікророзмірних дефектів у перенасиченому твердому розчині кисню в кремнії. Еволюція функції розподілу дефектів за розмірами. Рівняння дифузії для міжвузлових атомів системи.
автореферат, добавлен 14.09.2014Результати досліджень впливу швидкості охолодження, стану високотемпературної фази, легування на формування структур, у розташуванні дефектів в низькотемпературній фазі сплавів кобальту. Огляд легуючих елементів, які відрізняються за механізмом впливу.
автореферат, добавлен 27.08.2014