Исследование устойчивости комплементарной структуры металл-оксид-полупроводника сверхбольших интегральных схем к эффекту "защелкивания"
Электрическая характеристика явления защелки. Создание больших, сверхбольших интегральных схем. Варианты масштабирования приборов со структурой металл-оксид-полупроводник. Исследование устойчивости сверхбольших интегральных схем к эффекту "защелкивания".
Подобные документы
Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Появление усилительных элементов – транзисторов, интегральных схем и других электронных приборов, усиливающих электрические сигналы. Создание широкополосных усилителей гармонических и импульсных сигналов, предназначенных для телевидения, радиолокации.
контрольная работа, добавлен 09.10.2018Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Главная характеристика дозовых действий в современных комплементарных и биполярных структурах. Особенность водородной и конверсионной моделей накопления поверхностных состояний. Расчет и моделирование эффекта низкой интенсивности в двухполюсных приборах.
презентация, добавлен 29.08.2015Определение окружения усилителя. Установление выходной мощности. Обзор схем предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе и двухтактного усилителя мощности. Изучение области использования интегральных схем. Оценка работы в ключевом режиме.
реферат, добавлен 01.11.2017Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Общие сведения об интегральных микросхемах, решение с их помощью различных технико-экономических задач. Особенности интегральной схемотехники и усилителей низкой частоты в микросхемах. Построение усилителя мощности на интегральных микросхемах серии 174.
реферат, добавлен 07.01.2015Физические процессы на контакте "металл-полупроводник". Термоэлектронная эмиссия. Поверхностные состояния. Образования режимов обеднения, обогащения и инверсии в приповерхностном слое полупроводника. Зонные диаграммы, соответствующие этим режимам.
реферат, добавлен 18.11.2015Настройка уставки срабатывания защиты, ее производство без учета характера изменения напряжения контролируемой сети. Совместное использование линейных интегральных и квадратичных интегральных критериев. Представление модели сети с изолированной нейтралью.
статья, добавлен 26.01.2020Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Изучение методики использования прибора наблюдения вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов, входных, выходных, передаточных и иных статических характеристик цифровых и аналоговых схем. Составление электрической схемы подключения инвертора.
лабораторная работа, добавлен 12.11.2011Понятие и физические принципы работы интегральных микросхем, их классификация по различным признакам и типы, сферы практического применения. Отличительные особенности и функции логических и аналоговых интегральных микросхем, их технические параметры.
контрольная работа, добавлен 29.06.2015Вопросы заземления как самые сложные при разработке электрических систем. Рассмотрение возможных вариантов заземления для устройств со смешанными сигналами, их специфические особенности. Заземление и развязка интегральных схем со смешанными системами.
статья, добавлен 25.04.2017Реальные электрические схемы П- и ПИ-регуляторов на базе интегральных микросхем и их передаточные функции. Графики временных характеристик входного и выходного сигналов заданных регуляторов при постоянном, треугольном и синусоидальном воздействиях.
лабораторная работа, добавлен 29.10.2012Создание сложных схем для улучшения технико-экономических показателей выпрямителей. Оценка изменившиеся условий работы вентилей и трансформаторов. Модель шестипульсовой нулевой схемы выпрямления параллельного типа. Осциллограммы кривых токов диода.
лабораторная работа, добавлен 05.04.2015Представление многомерных интегральных операторов с однородными ядрами и радиальными осциллирующими коэффициентами, действующими в пространстве. Формулировка критерия нётеровости и формулы индекса для близкого класса операторов, действующих в L2(Bn).
статья, добавлен 12.05.2018Сети с изолированной нейтралью и устройства формирования линейных, квадратичных интегральных критериев. Фиксация значений критериев, при изменениях напряжения контролируемой сети. Окно задачи параметров блока Three-phase Programmable Voltage Source.
статья, добавлен 17.06.2018Характеристика основных принципов построения минимальных схем гидропневмоагрегатов и разработка эффективного метода синтеза схем с использованием минимального количества распределительной аппаратуры на основе использования графы операций С.А. Юдицкого.
статья, добавлен 25.02.2016Представление кристаллов сложных оксидов металлов, со структурой гранатов активированных ионами ванадия. Количественная оценка положения электронных уровней октаэдрических и тетраэдрических ионов V3+ в приближении произвольного кубического поля.
статья, добавлен 07.12.2018Схемы проведения экспериментов. Осциллограммы измеряемых сигналов на миллиметровке. Моделирование схем в системе MicroCAP и сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными. Экспоненциальная температурная зависимость обратного тока.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Изучение кинетики анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах. Анализ степени влияния связных добавок на состав, строение и свойства пленок анода диоксида силиция. Создание элементов кремниевых приборов и интегральных микросхем.
автореферат, добавлен 15.11.2015Влияние эффекта электромиграции на надежность работы интегральных схем. Выравнивание химических потенциалов компонентов смеси в результате диффузии. Явление электрофореза, его применение. Особенности применения электроосмоса. Эффекты Дорна и Квинке.
реферат, добавлен 25.01.2017Основные положения и методы измерения мощности. Измерение амплитуды с использованием приемника. Измерение амплитуды ВЧ-сигналов с использованием монолитных интегральных схем. Измерение амплитуды с использованием непосредственной выборки ВЧ-сигналов.
реферат, добавлен 16.10.2020Основные правила по компоновке и разводке электрических схем, применение преобразователей сигнала с высокой разрядностью и относительно высокой скоростью преобразования. Проблемы разработки блок-схемы печатной платы с функциональным разделением частей.
статья, добавлен 25.04.2017