Гидравлический или пневматический диод
Описание принципа работы диафрагменного резистивного диода. Разработка конструктивного варианта гидропневматического диода, анализ его диодности по сравнению с известными диодами. Особенности его работы не только на низких, но и на средних давлениях.
Подобные документы
Принцип работы лазерного диода. Определение распределения Больцмана. Особенности конструкции кристалла полупроводника лазерного диода. Алгоритм подключения лазерного диода. Единица измерения длины волны, которую может продуцировать лазерный диод.
реферат, добавлен 22.09.2017Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.
контрольная работа, добавлен 27.10.2015Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.
контрольная работа, добавлен 03.09.2012Разработка командного файла для моделирования структуры силового диода в программе DESSIS. Результаты моделирования с помощью программы INSPECT. Схематическая структура диода с алюминиевой металлизацией и медными элементами корпуса и термоэлектродами.
курсовая работа, добавлен 20.11.2016Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.
контрольная работа, добавлен 08.06.2012Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.
статья, добавлен 14.07.2016Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Процесс нахождения отношение прямого тока к обратному с использованием упрощенного уравнения вольтамперной характеристики диода. Определение тока в цепи, состоящего из источника напряжения, резистора и диода. Линия максимально допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 07.10.2013Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2015Изучение переходных процессов в полупроводниковых диодах при их работе в импульсном режиме. Влияние процессов на работу диода в импульсных устройствах Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Представлена математическая модель прямой ветви вольтамперной характеристики лазерного диода на основе AlGaAs с раздельным ограничением и квантоворазмерной активной областью. Факторы, определяющие напряжение и дифференциальное сопротивление таких диодов.
статья, добавлен 16.07.2018Диод как двухэлектродный электронный прибор, его свойства. История открытия принципов работы термионного диода. Типы диодов, характеристика их параметров. Специальные типы диодов, их применение для защиты устройств от неправильной полярности включения.
реферат, добавлен 22.11.2015Применение термоэлектронной эмиссии, понятие работы выхода и способ её определения. Вольтамперные характеристики электровакуумного диода при различных температурах катода. Определение работы выхода для вольфрама. Зависимость тока эмиссии от температуры.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2015Исследование амплитудно-частотных характеристик модели акустического диода в широком диапазоне частот. Изучение влияния формы волнового фронта на амплитуду прошедшей волны. Использование метода конечных элементов и программы AutoCAD при моделировании.
статья, добавлен 06.09.2021Описание принципа действия вакуумного диода, его вольтамперная характеристика. Строение триода, понятие тетрода и пентода. Описание устройства, принципиальной схемы ряда электронных приборов, их применение для исследования атомного строения тел.
реферат, добавлен 21.04.2009Основные свойства магнитного поля. Принцип действия и устройство трансформатора. Выбор проводов и кабелей. Конструкция, режимы работы и назначение полупроводникового диода. Виды стабилизаторов напряжения. Определение эквивалентного сопротивления цепи.
контрольная работа, добавлен 06.04.2015Возможность генерации диодами с туннельным анодом и боковой границей в диапазоне десятки-сотни гигагерц и существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Свойства предложенных диодных структур.
статья, добавлен 29.07.2016Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Проведение исследования главных видов соединения проводников. Особенность закона Ома для участка цепи. Характеристика работы и мощности тока. Суть вакуумных электронных ламп с подогреваемым катодом. Основные преимущества полупроводникового диода.
курс лекций, добавлен 13.02.2017