Фізичні властивості кристалів Li2Ge7O15 в області фазового переходу
Величина екранування поля спонтанної поляризації, що призводить до збільшення ролі флуктуацій параметру. Температурний гістерезис діелектричної проникності кристалів Li2Ge7O15 при температурі фазового переходу. Частотна дисперсія дебаєвського типу.
Подобные документы
- 1. Термодинаміка протонної моделі кристалів сім’ї KH2PO4 з тунелюванням і п’єзоелектричною взаємодією
Розробка статистичної теорії фазового переходу і термодинамічних властивостей сегнетоактивних недейтерованих кристалів. Модифікація протонної моделі з короткосяжними і далекосяжними взаємодіями. Отримання температурних залежностей спонтанних поляризації.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Аналіз залежності від електричного поля діелектричної проникності кристалів при різних значеннях температури вимірювання. Дослідження специфічних особливостей процесів переполяризації кристалічних матеріалів в синусоїдальних та імпульсних полях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Статистична теорія плавлення ламелярних кристалів. Певні значення об’єму та температури для фазового переходу А-В. Ламелярний полікристал, де ламели неорієнтовані і значну частину теплоти плавлення складає енергія деформації ламел в напрямку ланцюгів.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Дослідження поведінки ряду антиферомагнетиків з різними типами симетрії під час спінової переорієнтації, що відбувається під дією зовнішнього магнітного поля. Визначення зовнішніх параметрів орієнтаційного фазового переходу, його роду та типу структур.
автореферат, добавлен 24.02.2014Дослідження зонної структури кристалів Cs2CdI4 і суперіоніки Ag2CdI4. Генезис зон та непрямозонний характер оптичних переходів. Спектри оптичних констант для кристала зі структурою типу Sr2GeS4 та походження смуг у спектрах діелектричної проникності.
автореферат, добавлен 06.07.2014Встановлення характерних особливостей дефектної структури кристалів, обумовлених істотно нерівноважними умовами їх росту й екстремальними зовнішніми впливами. Математичне моделювання пружних коливань і характеристик діелектричної релаксації кристалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014Вимірювання ЕПР спектрів у температурній області фазових переходів досліджуваних кристалів. Характер зв'язку локального кристалічного поля з параметром порядку переходу. Модернізація модуля вимірювального комплексу на базі ЕПР радіоспектрометра Radiopan.
автореферат, добавлен 22.04.2014Концепція ефективного потенціалу вільної енергії. Урахування статистичних властивостей стохастичних джерел, під дією яких перебуває система. Автокореляція адитивного шуму як причина реверсивного фазового переходу, фазові та реорієнтаційні переходи.
статья, добавлен 30.10.2010Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Розгляд можливості підвищення розрядних характеристик акумуляторів теплоти на основі матеріалів фазового переходу. Аналіз отриманих значень динаміки температурних полів в тепловому акумуляторі. Параметри кроку укладки нагрівального кабелю в корпусі.
статья, добавлен 01.12.2017Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015Закономірності впливу іонів Cr і Mn на формування термо- і фотоелектретних станів та на діелектричні властивості кристалів BSO у звуковому діапазоні частот. Об'ємно-зарядовий і квазідипольний механізми поляризації. Особливості термічного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014- 17. Рідкі кристали
Поняття, типи та фізичні властивості рідких кристалів. Специфічність агрегатного стану речовини. Порядок орієнтації молекул в рідкокристалічному зразку. Застосування кристалів в окулярах для космонавтів та пілотів. Історія їх впровадження в електроніку.
реферат, добавлен 08.12.2020 Роль регулярних складових елементів кристалічної гратки та дефектів у формуванні оптичних характеристик (люмінесценція, поглинання, відбивання та діелектрична проникність) кристалів. Електронна структура ідеальних за будовою та дефектних кристалів PbWO4.
автореферат, добавлен 12.07.2014Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вивчення впливу кратності періоду модуляції діелектричної проникності плоскої структури на просторовий розподіл електромагнітного поля. Виявлення особливостей формування поля випромінювання пластиною для випадку модуляції діелектричної проникності.
статья, добавлен 30.07.2016Визначення відносної діелектричної проникності титанату барію. Електричний дипольний момент одиниці об’єму діелектрика для вектора поляризації. Застосування сегнетоелектриків при виготовленні конденсаторів, генеруванні та прийомі ультразвукових хвиль.
лабораторная работа, добавлен 07.07.2017Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Дослідження зв'язку фізичних властивостей монокристала телуриту вісмуту з особливостями його структури. Анізотропія макропараметрів Вi2ТеО5, перевага нецентральних сил міжатомної взаємодії у сполуці. Особливості фазового переходу у Вi2ТеО5 при 1050 К.
автореферат, добавлен 10.01.2014Дослідження температурних залежностей властивостей сегнетоелектричних кристалів тригліцинсульфату, диметиламонійалюмінійсульфату, калія селенату та амонія гідроселенату. Ступень анізотропії показника заломлення та коефіцієнта лінійного розширення.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014