Оптимизация толщины гетероструктуры перовскитовых солнечных элементов с помощью численного моделирования
Численное физико-топологическое моделирование для оптимизации толщины перовскитовых солнечных элементов на основе гетероструктуры. Анализ использования численного физико-топологического моделирования для разработки перовскитовых солнечных элементов.
Подобные документы
Описание способов и результатов моделирования и оптимизации характеристик 12-метрового миллиметроволнового изображающего радиотелескопа системы Кассегрена для решения солнечных задач. Использование двухрядной приемной матрицы, развернутой по координате.
статья, добавлен 30.10.2018Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Возможности определения параметров гидроакустических датчиков с помощью компьютерного моделирования. Численное моделирование процесса воздействия плоской гидроакустической волны на пьезокерамический датчик и ее преобразование в электрический сигнал.
статья, добавлен 28.10.2018Создание прототипа программного обеспечения, включающего библиотеку классов адаптивных элементов. Результаты численного моделирования для решения задачи аппроксимации сверхкороткоимпульсного радиолокационного сигнала и классификации случайного процесса.
статья, добавлен 06.11.2018Разработка математического описания элементов цифровой вычислительной техники. Анализ системы моделирования, ее возможности и применение. Расчет электрических помех в процессе моделирования. Характеристика электромагнитной совместимости элементов.
контрольная работа, добавлен 30.01.2016Создание гетероструктуры быстродействующего фотопреобразователя на основе p-i-n фотодиода максимальной возможной полосой пропускания. Применение внутреннего квантового выхода фотоответа при работе в фотодиодном режиме и трансимпедансной схемой включения.
курсовая работа, добавлен 19.05.2023Выполнение численного моделирования двумерного волнового уравнения с использованием явной трехслойной схемы типа "крест". Распределение компоненты электромагнитного поля в волноводе при распространении по нему волны с различной несущей частотой.
статья, добавлен 04.11.2018Исследование полигонального ТЕМ рупора с целью получения максимального коэффициента использования размера. Согласование и излучение оптимизированной антенны. Оптимизация с использованием строгого численного решения задачи методом конечных элементов.
статья, добавлен 05.11.2018Численное моделирование радиопоглощающих материалов, использующихся в современных безэховых камерах. Понижение уровня отражения дифракционных лепестков. Зависимость толщины согласующего слоя от частоты, на которой наблюдается оптимальное согласование.
статья, добавлен 06.11.2018Принцип работы термодинамических и фотоэлектрических солнечных электростанций; их недостатки и преимущества. Принципы преобразования солнечного излучения в тепловую энергию теплоносителя. Эксплуатационно-технический план электростанции башенного типа.
реферат, добавлен 11.03.2019Расчет физико-топологических параметров компаратора напряжений. Его моделирование в среде OrCAD. Определение размеров основных элементов. Технология производства D-триггера. Разработка топологического чертежа кристалла, схемы электрической принципиальной.
курсовая работа, добавлен 27.09.2017Проведение численного моделирования многолучевой электронной пушки мощного многорезонаторного клистронного усилителя. Методы расчета электромагнитных полей для анализа электронно-оптических систем клистронных усилителей в трехмерном приближении.
статья, добавлен 04.11.2018Исследование моделирования поля радиоволн, зондирующих ионосферу, методом численного решения параболического уравнения дифракции. Значение вариации частоты и интенсивностью сигнала при распространении через сферически-симметричную регулярную ионосферу.
статья, добавлен 30.10.2018Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.
статья, добавлен 29.07.2017Разработка методов и инструментальных средств для анализа и синтеза физического принципа действия чувствительных элементов датчиков на основе фрактального подхода к описанию процессов. Оценка качества синтезируемых ЧЭД и соотношения для их вычисления.
автореферат, добавлен 13.02.2018Сверхпроводимость, ферромагнетизм и эффект Андреевского отражения. Применение гибридных структур в устройствах памяти. Вольт-амперные характеристики и плотности состояний SIFS-контакта. Рассчет зависисмости критического тока от толщины F-слоя в контакте.
дипломная работа, добавлен 15.09.2018Материалы, используемые для формирования элементов МСТ в LIGA-технологии. LIGA-технологии как возможность создания элементов МСТ большой толщины с вертикальными сторонами. Технология поверхностной микрообработки. MUMPs-технология, планарные элементы МСТ.
курс лекций, добавлен 26.10.2013Анализ актуальности проблемы получения проводящих покрытий, использующихся в качестве функционального слоя солнечных элементов нового поколения, изучение структуры покрытий. Характеристика получения прозрачных проводящих покрытий золь-гель методом.
статья, добавлен 23.01.2019Разработка физико-технологического базиса создания планарных квазиодномерных структур наноэлектроники и способов формирования функциональных устройств. Применение методов микроэлектроники интегральных сенсорных устройств на основе углеродных нанотрубок.
автореферат, добавлен 30.01.2018Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Методика определения токов в ветвях, напряжений на сопротивлениях, и соответствующих этим сопротивлениям номинальных значений пассивных элементов заданной цепи. Проверка решения с помощью баланса мощностей. Порядок и этапы моделирования в Multisim.
контрольная работа, добавлен 30.11.2011- 23. Моделирование поляризационных характеристик рассеяния радиоволн на объектах в виде усеченных конусов
Анализ результатов численного моделирования рассеяния электромагнитных волн на усеченных конусах с разными видами оснований. Особенности проведения анализа угловых зависимостей поляризационных составляющих для поляризаций и углов падения излучения.
статья, добавлен 02.04.2019 Подходы к применению приборно-технологического моделирования маршрутов. Спектр задач моделирования маршрутов изготовления, модели активных и пассивных элементов. Конструктивно-технологический вариант устройства и изготовление партий микросхемы КР1446ХК1.
дипломная работа, добавлен 14.06.2012Разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования "VITUS". Топологии микросхемы, расчет геометрических размеров элементов.
курсовая работа, добавлен 25.03.2010