Туннелирование в микроэлектронике
Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
Подобные документы
Коэффициенты прохождения и отражения микрочастицы через барьер по законам квантовой механики. Роль туннельного эффекта в электронике. Энергетическая схема контакта металлов. Прохождение электронов в диэлектрическом слое. Процессы в туннельном диоде.
курсовая работа, добавлен 28.01.2014Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.
курсовая работа, добавлен 24.09.2017Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Этапы развития методов исследования состава, структуры материалов микроэлектроники. Рассмотрение истории развития атомно-силовой микроскопии. Волновые функции электронов в атоме. Современная сканирующая туннельная микроскопия материалов микроэлектроники.
доклад, добавлен 22.12.2019Понятие микроэлектроники, термина "интегральная схема" (ИС). Компоненты, входящие в состав ИС. Особенности изделий микроэлектроники. Классификация микросхем по функциональному назначению. Три проблемы микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных ИС.
презентация, добавлен 27.11.2015Суть закона Мура, его использование, темпы развития полупроводниковой индустрии. Метод производства микропроцессоров в Intel. Спиновые волны, многократное использование электронов, углеродные и кремниевые нанотрубки, трехмерные многослойные микросхемы.
реферат, добавлен 17.04.2016Розрахунок аналітичної залежності миттєвих значень напруги від параметрів еквівалентної схеми резистивно-зашунтованого переходу Джозефсона. Знаходження часової залежності періоду коливань від шунтуючого опору для структури із трьох переходів Джозефсона.
статья, добавлен 27.07.2016Рассмотрение содержания эффекта Оже и глубины выхода оже-электронов. Реализация метода оже-спектроскопии и регистрация оже-электронов. Энергоанализаторы оже-электронов. Основное уравнение и количественная оже-спектроскопия. Применение оже-спектроскопии.
реферат, добавлен 01.05.2020Применение тонких проводящих пленок в радиотехнике и электронике. Экспериментальное исследование отражения, прохождения и резонансного поглощения электромагнитных волн в тонких нанометровых пленках меди, алюминия и нихрома в диапазоне длин волн 2–10 см.
статья, добавлен 19.06.2018Исследование эффекта униполярного резистивного переключения в оксидах переходных металлов. Создание сэндвич структур на их основе с реализацией эффекта энергонезависимой памяти, оценка работоспособности. Механизм и модель резистивного переключения.
автореферат, добавлен 02.07.2018Разработка методики моделирования физических процессов в устройствах электроники. Анализ метода холодного моделирования. Характеристика реализации в конкретных современных устройствах схем с металлодиэлектрическими структурами для сверхвысоких частот.
статья, добавлен 13.01.2020Краткая история развития микроэлектроники и схемотехники. Триггерные схемы. Виды регистров: последовательные (сдвигающие), параллельные, параллельно-последовательные и реверсивные. Запоминающие устройства. Особенности построения блоков памяти на БИС ПЗУ.
курс лекций, добавлен 04.10.2013- 14. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017- 16. Прибор тиристор
Тиристор – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями (включён или выключен). Основные элементы в силовых устройствах электроники. Динисторы и их использование в слаботочных импульсных устройствах. Коэффициенты передачи токов и их расчет.
презентация, добавлен 23.09.2016 Результаты разработки и изготовления экспериментальной установки для проведения полиионной сборки тонких пленок на поверхности твердой подложки. Использование метода послойного наплавления FDM для изготовления механических элементов данной установки.
статья, добавлен 23.05.2018- 18. Электроника
Определение предмета и метода исследований электроники как части электротехники, использующей управление потоком электронов и заряженных частиц в электронных элементах. Природа физических процессов в электровакуумных и полупроводниковых устройствах.
презентация, добавлен 05.04.2020 Задачи и структура отдела микроэлектроники. Анализ процесса производства и контроля качества микрополосковых СВЧ плат. Принципиальная схема тактового генератора. Изучение технологического маршрута изготовления толстопленочных интегральных микросхем.
отчет по практике, добавлен 16.02.2015Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Особенности развития кремниевой микроэлектроники как отрасли. История производства изделий микроэлектроники. Производители логических схем имеющие собственные фабрики. Основные пути развития информационных технологий и возможности снижения затрат.
статья, добавлен 29.05.2017Расчёт выходных электрических характеристик микроэлектроники средствами подсистемы схемотехнического проектирования. Моделирование наводок через взаимные ёмкости и индуктивности. Расчёт поля, создаваемого горизонтальным диполем вблизи границы раздела.
статья, добавлен 05.11.2018Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Рассмотрение процесса ускорения плотных электронных сгустков, получаемых путем ионизации тонких пленок электромагнитными импульсами. Метод ускорения сгустка последовательностью гауссовых импульсов, не имеющий ограничений на максимальное значение энергии.
статья, добавлен 04.11.2018Определение преимуществ и недостатков использования металлов (медь, золото, серебро, алюминий) и сплавов с высокой электропроводимостью (манганин, константан, фехраль). Использование припоев, проводниковых и резистивных материалов в микроэлектронике.
реферат, добавлен 30.08.2010