Вплив сильних електричних полів на вольт-амперні характеристики напівпровідникових приладів
Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
Подобные документы
Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015- 3. Поля та спектральні характеристики неоднорідних квазіоптичних резонаторів міліметрового діапазону
Дослідження спектральних та енергетичних характеристик діелектричних, напівпровідникових і феритових резонаторів з циліндричними та сферичними поверхнями. Основні вивчення просторових розподілів електромагнітних полів власних та вимушених коливань.
автореферат, добавлен 28.08.2014 - 4. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Аналіз основних електромагнітних процесів в електричних колах з напівпровідниковими комутаторами. Створення математичної моделі для аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах з широтно-імпульсним регулюванням вихідної напруги.
статья, добавлен 24.03.2016Особливості застосування існуючих керованих силових напівпровідникових приладів. Основний недолік GTO тиристора. Визначення напрямку розвитку схемотехнічних рішень електричних кіл перспективного та модернізуємого електрорухомого складу залізниць України.
статья, добавлен 29.09.2018Теорія системного аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах модуляційного типу. Створення нових структур інверторів напруги та алгоритмів управління ними у напівпровідникових перетворювачах зі змінними та постійними напругами.
автореферат, добавлен 13.07.2014Дослідження закономірностей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих та компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Умови експлуатації мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015Основи фізики напівпровідникових приладів. Атомна фізика та квантова механіка. Класифікація твердих тіл за структурою, хімічним зв'язком та провідністю. Зонна діаграма напівпровідника. Принципи роботи діодів та фізичні основи роботи транзисторів.
методичка, добавлен 24.06.2014- 13. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Формулювання та апробація можливих способів діагностування та класифікації станів перетворювачів за вейвлет-спектрами струмів та напруг. Розробка та впровадження в промислову сферу мікропроцесорних систем діагностики напівпровідникових перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Аналіз електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах з трансформаторним зв’язком між фазами. Електромагнітна сумісність цих перетворювачів з мережею живлення. Огляд алгоритму керування цим зв’язком і математичних моделей перетворювачів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження взаємодії прямолінійних квазінейтральних нерелятивістських електронних потоків з напівпровідниковими хвилеведучими структурами круглого й прямокутного перерізів. З'ясування можливості нестійких станів власних хвиль просторового заряду.
автореферат, добавлен 28.08.2014Модифікація методу дослідження коливань у резонансних системах з урахуванням радіаційних втрат у зосередженому вузлі зв'язку. Вивчення властивостей коливань у відкритому резонаторі із циліндричними дзеркалами, створення напівпровідникових генераторів.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 19. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014- 22. Теоретичні основи і методи регулювання субгармонік напівпровідникових перетворювачів електроенергії
Розробка теоретичних основ і ефективних методів регулювання субгармонік напівпровідникових перетворювачів електричної енергії із широтно-імпульсною модуляцією другого роду. Розробка методів зменшення впливу замкнутої структури регулювання субгармонік.
автореферат, добавлен 27.04.2014 Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014- 24. Взаємодія електромагнітних хвиль з активними хвилями в періодичних напівпровідникових структурах
Дослідження властивостей повільних поверхневих власних хвиль структури, утвореної однорідним плазмоподібним напівпростором та шарувато-періодичним середовищем (шарами напівпровідника та діелектрика). Взаємодія власних та кінетичних хвиль у напівпросторі.
автореферат, добавлен 02.08.2014 Двохелектродна лампа як напівпровідниковий пристрій з двома електродами, що поміщені у вакуумний балон. Характеристика властивостей напівпровідникових приладів. Розгляд елементів фоторезистора. Знайомство з принципом роботи напівпровідникового діоду.
контрольная работа, добавлен 14.12.2014