Легирование эпитаксиальных слоев GaxIn(1-x)PySb(1-y) примесью теллура
Анализ результатов исследования влияния примеси теллура на оптико-электрические свойства эпитаксиальных слоев GaxIn(1-x)PySb(1-y). Измерение длины волн пиков фотолюминесценции. Воздействие примеси теллура на упорядочение атомов кристаллической решетки.
Подобные документы
Рассмотрение способов и основных этапов создания инжекционных лазеров. Знакомство с особенностями влияния состава на люминесцентные свойства твердых растворов в системе SIС-ALN. Характеристика методики получения эпитаксиальных слоев твердых растворов.
статья, добавлен 02.02.2020Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Основные свойства материала, методы получения монокристалла. Расшифровка марки материала и методы его получения. Вывод распределения примеси. Выбор технологических режимов и размеров установки. Расчет легирования кристалла и определение массы примеси.
курсовая работа, добавлен 30.01.2014Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
контрольная работа, добавлен 15.01.2012Сущность и назначение ионной имплантации. Дефекты при легировании тонких приповерхностных слоев твердого тела путем облучения пучком ионов, способы их устранения. Ионная имплантация и промышленность. Анализ технологий модификации поверхностных слоев.
реферат, добавлен 05.05.2015- 7. Фотоупругая и ростовая оптическая анизотропия эпитаксиальных пленок редкоземельных ферритов-гранатов
Изучение тензора диэлектрической проницаемости в многокомпонентных редкоземельных ферритах-гранатах. Рассмотрение процессов деформации и ростовой анизотропии кристалла. Распространение света в эпитаксиальных пленках редкоземельных ферритов-гранатов.
статья, добавлен 20.09.2018 Модификация двумерной модели, описывающая нестационарные процессы переноса примеси от источника, изменения средней температуры с учетом фронта пожара. Процесс распространения пожара, изменения концентрации примеси и средней температуры воздуха.
статья, добавлен 26.04.2019Разработка теории интегративно-структурных слоев материи, основанной на учении об основных формах движения материи. Вопросы о содержании (структурах) и функциях атомов элементарных частиц. Характеристика свойств атомов разных форм движения материи.
статья, добавлен 26.11.2019Методы измерения проводимости и ее температурной зависимости. Исследование влияния адсорбированного кислорода на электрические свойства пленок производных фталоцианина. Модель многоуровневого прыжкового переноса электронов. Методика ионной имплантации.
автореферат, добавлен 19.08.2018Исследование рентгеноструктурных параметров твердых растворов диоксида ванадия с железом, изменений параметров кристаллической решетки с изменением состава образцов. Стабилизация свойств диоксида ванадия, легирование его некоторыми переходными металлами.
статья, добавлен 24.03.2019Кристаллографические системы координат. Линейный кристалл с двумя атомами в ячейке. Обзор теорий колебаний кристаллической решётки с дефектами. Методика расчета спектра колебаний кристаллической решетки молибдата стронция с помощью потенциала Морзе.
дипломная работа, добавлен 09.09.2015Рассмотрение способов создания псевдоожиженных слоев, позволяющих автоматизировать процесс очистки судовых теплообменных аппаратов. Анализ преимуществ слоев, созданных отраженными потоками, с точки зрения использования в судовой теплообменной технике.
статья, добавлен 23.03.2013Изменение дифракционной картины при уменьшении периода решетки без перемены общего числа щелей. Спектр и определение длины волн. Компоненты излучения неизвестного газового разряда. Отсчет углов по шкале оптического гониометра, добавочный минимум.
лабораторная работа, добавлен 24.07.2014Исследование кристаллов фторидов и оксидов с высокой концентрацией примеси эрбия при интенсивном наносекундном электронном возбуждении. Выявление механизмов передачи высоких плотностей энергии дефектам легирующей примеси и ионам собственного вещества.
автореферат, добавлен 26.07.2018Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018Изучение особенностей распространения тяжелой пассивной примеси в условиях нерегулярной нестационарной мезомасштабной конвекции с использованием в качестве базовой гидродинамической модели конвективного ансамбля. Исследование диффузии в океане, атмосфере.
статья, добавлен 28.05.2018История возникновения рентгеновских лучей. Механизм образования квантов излучения, характеристика их спектра, энергии и длин волн. Способ расчета дифракционной картины от кристаллической решетки. Использование рентгенологического исследования в медицине.
реферат, добавлен 29.05.2016Дифракции электромагнитных волн. Определение длины электромагнитных волн видимого диапазона для красного и фиолетового света с помощью дифракционной решетки проходящего света. Принцип Гюйгенса-Френеля для волновых процессов. Чередование цветов в спектре.
лабораторная работа, добавлен 09.05.2015Взаимодействие плоской когерентной волны с атомами кристаллической решетки. Кинематическое приближение теории рассеяния. Рассеяние рентгеновских лучей на пространственной решетке, состоящей из атомов. Геометрическая интерпретация условий дифракции.
лекция, добавлен 21.03.2014Двухкомпонентная кубическая модель и модель на основе куба-генератора простейшей гексагональной кристаллической решетки. Описан численный метод построения матричной модели кристаллической решетки гексагонального алмаза на основе куба-генератора.
статья, добавлен 17.10.2021Проблема расчета электромагнитного поля линейного переменного тока, расположенного в полупространстве, либо в одном из слоев многослойной проводящей среды. Анализ влияния границ раздела, электрических параллельных слоев на структуру поля линейного тока.
статья, добавлен 04.11.2018Дефекты кристалла: их классификация по размерности. Сущность нульмерных дефектов. Термодинамика точечных дефектов, условия миграции. Описание одномерных, двумерных и объёмных дефектов. Методы избавления от них. Дефекты кристаллической решетки металла.
контрольная работа, добавлен 16.05.2022Условия синтеза и механизмы зарядовой компенсации замещенного железо-иттриевого граната (ЖИГ). Изучение влияния на структурные параметры и электромагнитные свойства ЖИГ концентрации двухвалентной примеси, размера частиц и зерен в субмикронном диапазоне.
автореферат, добавлен 01.05.2018Знакомство с задачей распространения плоских гармонических волн в среде, состоящей из n-слоев с плоскопараллельными границами раздела. Анализ способов определения амплитудных и фазовых спектров, коэффициентов отражения для всех заданных углов падения.
статья, добавлен 02.02.2019