Технологічні основи вирощування кристалів сполук AIIBVI з розплаву під тиском інертного газу

Створення теплового вузла з двома роздільно керованими нагрівачами для вирощування напівпровідникових кристалів II-VI сполук із розплаву під тиском аргону до 100 атм будь-яким із трьох методів: за Бриджменом, зонною плавкою або градієнтним охолодженням.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.