Моделювання процесів хемостимульованої міграції атомних часток у приповерхневих шарах напівпровідників
Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
Подобные документы
Дослідження електронних процесів під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами. Поняття електронної гетерогенної аккоммодації енергії хімічних реакцій. Комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабльних твердих тіл.
автореферат, добавлен 10.01.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розрахунок конфігурацій вакансійного дефекту на поверхнях Si(100)-2Ч1 і Ge(100)-2Ч1 при різному ступені покриття поверхні воднем. Встановлення механізмів адсорбції і десорбції атомів водню на поверхнях. З’ясування ролі поверхневих дефектів у цих процесах.
автореферат, добавлен 23.08.2014Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Побудова теорії дифузії в обмежених системах, виходячи з фундаментальних законів термодинаміки незворотних процесів. Дослідження впливу обмежень системи на дифузійні процеси. Моделювання наявності зворотних хімічних реакцій як міжмолекулярної взаємодії.
автореферат, добавлен 30.08.2014Вплив структури, точкових дефектів кристалічної будови, температури та концентрації на параметри самодифузії у впорядкованих алюмінідах нікелю та титану. Визначення взаємозв'язку складу, точкових дефектів та механізмів дифузії в інтерметалідах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC. Розщеплення низькочастотної та високочастотної областей прозорості.
автореферат, добавлен 23.02.2014Формування поверхневого мікрорельєфу. Автокореляційні властивості поверхневого рельєфу. Розсіяння об'ємних і поверхневих електромагнітних хвиль наночастинками, мембранами і мезопористими діелектричними плівками. Застосування процесів розсіяння світла.
автореферат, добавлен 10.08.2014Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Дослідження гетерогенних фізико-хімічних процесів малої і надмалої інтенсивності та електролізних реакцій, що йдуть з виділенням хемографічно активних речовин, зокрема атомарного водню. Методичні принципи використання ХГЕ як методу візуалізації.
автореферат, добавлен 28.08.2015Фізичні процеси, що протікають на границях розділу твердотільних фаз при імплантації різних домішок. Механізм прискореної дифузії в кремнії та їх кластеризації за рахунок додатково введених точкових дефектів з наступними температурними обробками.
автореферат, добавлен 05.08.2014Виявлення фізичних механізмів структурних перетворень у поверхневих шарах кремнієвої та кремній-кисневої фази шаруватих систем кремній-оксид. Аналіз термічного окислення кремнію при імплантації кисню в кремній з наступним високотемпературним відпалом.
автореферат, добавлен 23.11.2013Характеристика механізмів спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках через локалізовані електронні пари та через збуджені триплетні стани точкових дефектів. Врахування надтонкого поля в квантовій теорії електрично детектованого магнітного резонансу.
автореферат, добавлен 21.11.2013Стан сучасних уявлень про явище реакційної дифузії. Розвиток атомних методів Монте-Карло у застосуванні до дифузійних процесів. Розробка моделі для опису кінетики твердофазних перетворень між однофазним і двофазним станами під час температурної обробки.
автореферат, добавлен 28.12.2015Розгляд узагальнення основних експериментальних даних по кінетиці дифузійних реакцій у нанометричних системах. Дослідження процесу фазоутворення на початковому етапі взаємної дифузії у нанометричних когерентних системах для випадків фазового переходу.
автореферат, добавлен 22.06.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Моделювання розвитку каскадів атомних зіткнень в нанорозмірній області. Залежність процесу розпилення від структури поверхневого кластера. Модельні значення коефіцієнтів розпилення. Оцінка впливу вибору потенціалу міжатомної взаємодії на результати.
автореферат, добавлен 29.09.2014- 22. Двохпараметрична параметризація вертикальної турбулентної дифузії атмосферних аерозольних домішок
Фізичний аналіз та математичне моделювання турбулентної дифузії газоаерозольних домішок у планетних атмосферах. Дослідження впливу седиментації аерозольних частинок на їх вертикальну турбулентну дифузію. Розгляд дифузійних процесів в фізичному просторі.
автореферат, добавлен 10.08.2014 Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 07.03.2014- 25. Дослідження перерізів ядерних реакцій (n, x) на ядрах Y, La, Ta, Pb, Bi при енергії нейтронів 14 МеВ
Проведення експериментальних вимірів перерізів ядерних реакцій (n, x) при енергії нейтронів 14,5 МеВ та функцій збудження ядерних реакцій (n, x) в діапазоні енергій нейтронів 13,5-14,6 МеВ. Отримання інформації про механізми протікання ядерних реакцій.
автореферат, добавлен 28.06.2014