Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації
Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
Подобные документы
Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Залежність струмів термостимульованної деполяризації. Побудова графіка залежності струму від години. Метод наближеної оцінки енергії активації. Розрахунок ширини забороненої зони методом Гарліка-Гібсона, Гроссвейнера (парціальної напівширини піку).
практическая работа, добавлен 14.04.2013Теоретичне дослідження та аналіз температурної залежності питомого опору і температурного коефіцієнта опору двошарових плівок Ni/Cr, Ti/Cu та Al/Ni як у процесі термостабілізації електрофізичних властивостей, так і після завершення твердофазних реакцій.
статья, добавлен 26.10.2010Дослідження температурної, часової залежності малокутового розсіяння світла за умови взаємодії солітонів з дефектами. Вивчення динаміки модульованої структури в електричному полі для кристалів. Опис температурної залежності електрооптичних коефіцієнтів.
автореферат, добавлен 10.09.2014Розгляд класифікації інтегральних мікросхем та системи позначень. Визначення типу електропровідності кристалів і пластин. Вимірювання поверхневого і питомого опору шарів напівпровідника, статичних параметрів ІМС. Дослідження параметрів логічних мікросхем.
методичка, добавлен 17.11.2022Особливості вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Вивчення залежності опору металів від температури. Вимірювання опору досліджуваної котушки при кімнатній температурі. Вплив швидкості нагріву на точність побудованої залежності.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Визначення температурної залежності коефіцієнту дифузії вакансії і з’ясування характеру вакансійного руху в ОЦК фазі кристалів 3Не. Явища квантової дифузії, характерний для широкозонних квазічасток. Залежність ширини зони від щільності твердого гелію.
автореферат, добавлен 15.11.2013З’ясування мікроскопічного механізму фазових перетворень. Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників, пов’язаної з виникненням квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях.
автореферат, добавлен 25.02.2015Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Аналіз температурних залежностей електропровідності тонких плівок металів. Розмірна залежність ефективного параметру електрон-фононної взаємодії. Тангенс кута нахилу експериментальних температурних залежностей опору для плівок Pd, Pt і Sc. Енергія фонона.
статья, добавлен 23.12.2016Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013Методика вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Залежність опору металів від температури. Вимірювання плечей реохорда в одиницях шкали реохорда. Вимірювання загального опору резисторів і досліджуваної котушки при кімнатній температурі.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Розробка аналітичних і експериментальних методів визначення модового складу поля випромінювання круглих оптичних волокон і температурної залежності набігу фаз власних мод круглих оптичних волокон. Обертальний ефект Доплера в маломодових оптичних волокнах.
автореферат, добавлен 23.08.2014Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017Теоретичне визначення частотних похибок платинових термометрів. Розробка прецизійних термометричних мостів змінного струму для експериментального визначення частотної залежності активного опору ПТО. Засоби вимірювання параметрів комплексного опору.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
реферат, добавлен 23.10.2020- 22. Вплив вуглецю на міжатомну взаємодію і термічне розширення ГЦК сплавів на основі залізо – нікель
Дослідження впливу С і Mn на термічне розширення ГЦК Fe-Ni-C і Fe-Ni-Mn-C сплавів інварного класу та з’ясування його природи. Вивчення міжатомної взаємодії і магнітної структури в сплавах. Вимірювання температурної залежності намагніченості насичення.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Методи вимірювання опору металу під час нагрівання зразка в заданому діапазоні температури, визначення температурного коефіцієнту опору. Схема електричного кола для з'єднання електропечі, термометра, цифрового вольтметра, амперметра, блоку живлення.
лабораторная работа, добавлен 27.05.2016Аналіз залежності критичної механічної напруги від площі поперечного перерізу зразків n-Ge, що використовуються при дослідженнях деформаційних ефектів. Вплив геометричних розмірів зразків на точність вимірювання питомої електропровідності монокристалів.
статья, добавлен 29.11.2016Нітрид титану як бінарне хімічне з'єднання титану з азотом. Дослідження температурної залежності висоти потенціального бар’єру і послідовного опору ізотопного гетеропереходу та вольт фарадні характеристики при різних частотах збуджуючого сигналу.
статья, добавлен 29.07.2016