Перемикання в тиристорних структурах при високому рівні інжекції і дії зовнішніх чинників
Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
Подобные документы
Розробка квазілінійних моделей генераторів на основі транзисторних структур з від'ємним опором. Амплітуда і частота стаціонарних коливань, оцінка короткотривалу нестабільності генератора. Причини нелінійного відхилення частоти генерованих коливань.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Особливості визначення спінових конфігурацій і магнітних властивостей тонких металевих багатошарових плівок за допомогою магнітних і магнітооптичних методів. Загальна характеристика магнітних станів плівок Gd/Fe, Gd/Co, Gd/Si/Co, аналіз властивостей.
автореферат, добавлен 24.06.2014Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014- 5. Радіовимірювальні прилади на основі ємнісного ефекту в транзисторних структурах з від’ємним опором
Радіовимірювальні прилади, вимоги до них з позиції сучасних напрямів розвитку радіоелектроніки. Розробка нелінійних математичних моделей генераторів прямокутних імпульсів і лінійно змінної напруги на польовій та біполярній транзисторних структурах.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Аналіз впливу зовнішніх подразників на зміни, які відбуваються в структурах взаємодії об’єктів як абстрактних сутностей (АС) у процесі їх життєдіяльності (біотехнічних об’єктів, впливу фізичних полів обладнання тощо). Визначення панданних зон кожної АС.
статья, добавлен 26.01.2017Характеристика структури мережі. Дослідження процесу автоматичного перемикання абонента між точками доступу. Аналіз переходу рухомого абонента через умовну лінію перемикання. Дослідження зустрічного руху двох абонентів до умовної точки лінії перемикання.
статья, добавлен 28.09.2016Обмежувачі на діодах послідовного і паралельного типів. Біполярні транзистори та схеми вмикання і статичні характеристики біполярних транзисторів. Біполярний транзистор як активний чотирьохполюсник. Динамічні характеристики транзисторних ключів.
лекция, добавлен 26.03.2014Методи аналізу магнітних полів електротехнічних пристроїв. Розрахунок тримірного магнітного поля математичної моделі кріогенератора з урахуванням кінцевої довжини магнітопроводу, поля тороідального трансформатора з витим стрічковим магнітопроводом.
автореферат, добавлен 21.11.2013Пряме і зворотне зміщення (вмикання) p-n-переходу. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди й стабілітрони: призначення і особливості, схема вмикання. Особливості структури біполярного транзистора, їх типи та умовні позначення.
лекция, добавлен 15.03.2016Виявлення особливостей протікання дифузійно-дрейфових процесів у елементах інтегральних p-i-n-структур під дією НВЧ полів. Побудова математичних моделей проходження електромагнітних хвиль через інтегральні структури в одно- і багатомодових лініях передач.
автореферат, добавлен 24.06.2014Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016Біполярний транзистор - електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що здатен підсилювати потужність. Оцінка співвідношення між складовими струму за допомогою коефіцієнта інжекції. Дослідження схеми вмикання транзистора зі спільним емітером.
учебное пособие, добавлен 16.07.2017Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Фiзичнi механізми функціонування інтегральних транзисторних i дiодних структур. Розрахунок i оптимiзацiя топології біполярних транзисторів з бар'єром Шотткi. Схема формувача потужних наносекундних iмпульсiв. Застосування товстоплiвкових резисторів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Розробка приладів для вимірювання температури та дослідження фізичних властивостей речовин. Аналіз процесу перетворення температури у частотний сигнал в напівпровідникових структурах. Використання піротранзистора в якості активного індуктивного елементу.
статья, добавлен 23.12.2018Розробка математичної моделі асиметричних електричних процесів перетворювачів постійної напруги, що узагальнена щодо трьох зазначених типів основних схем силових каналів і щодо режимів роботи перетворювача. Дослідження асиметричних електричних процесів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Математична модель розсіяння нестаціонарних радіохвиль на багатошарових ґрунтових структурах з поглинанням і дисперсією. Аналіз фізичних особливостей полів, розсіяних ґрунтовими структурами (як однорідними, так і з характеристиками, що змінюються).
автореферат, добавлен 20.04.2014Теоретичні методи дослідження структури матеріалів та електрофізичних характеристик елементів інтегральних схем при дії рентгенівського, гама та нейтронного випромінювання. Засоби підвищення радіаційної стійкості елементів твердотільної електроніки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вплив рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні показники термосенсорів. Причини збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду. Зменшення величини прямого струму вольт-амперних характеристик.
статья, добавлен 10.12.2016Аналіз процесу перетворення оптичного опромінювання в електричні сигнали. Пристрої обробки інформації. Дослідження транзисторних комбінованих елементів і пристроїв автоматики. Коефіцієнти максимально-досяжного підсилення потужності та стійкості УПІ.
автореферат, добавлен 10.09.2014Вивчення існуючих методів та засобів контролю параметрів провідних виробів і речовин. Дослідження електромагнітних методів сумісного контролю електромагнітних і геометричних параметрів провідних, трубчастих, суцільних циліндричних і плоских виробів.
автореферат, добавлен 25.09.2015Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014