Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
Подобные документы
Вирощування монокристалів з використанням парофазного методу та дослідження їх фізичних властивостей. Процеси термічного окиснення на повітрі селеніду індію з різним умістом марганцю. Електрофізичні та фотоелектричні властивості різнотипних структур.
автореферат, добавлен 27.07.2015Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015Встановлення змін властивостей шаруватих монокристалів InSe і GaSe та нанооб’єктів на їх основі при впровадженні в них водню, барію, йоду. Методи одержання нанорозмірних шаруватих сполук InSe і GaSe. Оптичні характеристики інтеркальованих монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015- 4. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій та дифракції повільних електронів на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання шаруватих кристалів In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.
статья, добавлен 13.10.2016 Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Встановлення впливу концентрації і хімічної природи впроваджених іонів між шарами халькогенідів індію, галію, вісмуту, титану на термодинамічні і кінетичні параметри процесу інтеркаляції, фазовий склад інтеркальованих сполук і положення в них рівня Фермі.
автореферат, добавлен 25.04.2014Аналіз процесів фазової взаємодії в системі In-Ga-Se-O та окислення сполук цієї системи. Розгляд стійкості при термообробці на повітрі півтораселеніду індію і галію в напівпровідниковій системі та їх кристалізація з утворенням моноклінної b-модифікації.
автореферат, добавлен 27.02.2014Виявлення оптимального методу створення гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію на основі низькоомних монокристалів CdS. Дослідження електричних, фотоелектричних та дозиметричних характеристик структур у залежності від технології їх виготовлення.
автореферат, добавлен 10.01.2014Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Встановлення характерних особливостей дефектної структури кристалів, обумовлених істотно нерівноважними умовами їх росту й екстремальними зовнішніми впливами. Математичне моделювання пружних коливань і характеристик діелектричної релаксації кристалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014Вплив радіаційного теплообміну на температурні умови вирощування оксидних кристалів з розплаву. Кінетична залежність швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні кристалів методом осьового теплового потоку на фронті кристалізації.
автореферат, добавлен 27.09.2014Внутрішня будова та зовнішня форма кристалів. Внутрішній пристрій кристала. Поняття і сутність елементів симетрії, що характерні для кристалів: площина, центр і вісь симетрії. Священна сімка сингоній (систем). Поняття ідеального і реального кристалів.
реферат, добавлен 11.05.2014Дослідження впливу плоских дефектів на динамічні характеристики сильно анізотропних шаруватих кристалів, вивчення особливостей локалізації коливань у складних багатошарових сполуках. З’ясування особливостей фононних спектрів складних шаруватих систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вивчення пружніх властивостей кристалів, роль акустичних збуджень при фазових переходах. Розрахунок фононних спектрів та фазових переходів в сеґнетоелектриках. Особливості хімічного зв’язку при переході від кристалів з об’ємною морфологією до шаруватих.
автореферат, добавлен 25.08.2014Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014- 18. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 - 19. Особливості діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектриках CuInP2S(Se)6
Знайомство з особливостями діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектриках CuInP2S(Se)6. Розгляд способів забезпечення умов стехіометричності для кристалів CuInP2S(Se)6. Загальна характеристика дефектів кристалічної гратки.
статья, добавлен 27.12.2016 - 20. Температурна поведінка оптичної анізотропії нелінійних діелектриків з центросиметричною парафазою
Вивчення результатів поляриметричних досліджень параметрів оптичної анізотропії кристалів дейтерованого тригліцинсульфату. Розгляд наслідків дейтерування ізоморфних заміщень. Аналіз термічного розширення кристалічних фероїків з органічними катіонами.
автореферат, добавлен 25.02.2015 Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Використання фотоелектричних перетворювачів. Визначення оптичних та рекомбінаційних втрат в допоміжних та поглинаючих шарах сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe та n-CdS/p-CdTe із струмознімальними фронтальними контактами ITO і ZnO.
статья, добавлен 23.12.2016Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015Розгляд засад чисельно-експериментального дослідження кінетичної залежності швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні оксидних кристалів. Аналіз температурних умов на фронті кристалізації за допомогою радіаційного теплообміну.
автореферат, добавлен 29.01.2016