Мікроскопічна теорія електронних властивостей напівпровідникових шаруватих кристалів та інтеркальованих структур
Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
Подобные документы
Аналіз електронного спектра (ЕС) шаруватої наногібридної структури. Зміни ЕС та густини електронних станів у шаруватих кристалах, що виникають при модуляції їх структури за рахунок утворення періодично розташованих пакетів із невеликої кількості шарів.
статья, добавлен 13.10.2016Встановлення змін властивостей шаруватих монокристалів InSe і GaSe та нанооб’єктів на їх основі при впровадженні в них водню, барію, йоду. Методи одержання нанорозмірних шаруватих сполук InSe і GaSe. Оптичні характеристики інтеркальованих монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015- 3. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Характеристика процесів взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до появи нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу частинок, які слабо дифундують в напівпровідникових конструкціях.
автореферат, добавлен 14.10.2015Процеси взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу домішок, що дифундують в напівпровідникових структурах. Утворення шару метал-діелектрик.
автореферат, добавлен 29.09.2014- 7. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій та дифракції повільних електронів на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання шаруватих кристалів In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.
статья, добавлен 13.10.2016 Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Розгляд особливостей електронного спектра, хімічного зв’язку, оптичних, термодинамічних та структурних властивостей напівпровідникових твердих розчинів заміщення. Розробка підходу до аналізу термодинамічної стабільності невпорядкованих твердих розчинів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Виявлення ознак та особливостей різноманітних математичних моделей шаруватих пластин і оболонок. Варіаційна постановка змішаних граничних задач для шаруватих структур як основа методу скінченних елементів. Визначення міжшарових контактних напружень.
автореферат, добавлен 05.01.2014Опис енергетичного спектра електронів, магнітного впорядкування та електропровідності в моделі Хаббарда, роль електронних кореляцій у структурно-фазових перетвореннях перехідних металів та їх сплавів. Опис кінетичних властивостей діаграми кристалів.
автореферат, добавлен 07.03.2014Характеристика порівняльного аналізу експериментальних даних з результатами обчислювального експерименту. Визначення адекватності фізних моделей для проведення досліджень процесу інтеркаляції на стадії переносу інтеркалянта в шаруватій структурі.
автореферат, добавлен 25.08.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 14. Відновлення профілю діелектричної проникності шаруватих структур за значенням коефіцієнта відбиття
Підвищення точності та швидкості способу параметричного спектрального аналізу при дослідженні частотних залежностей коефіцієнта відбиття від шаруватих діелектричних структур з кусково-сталим профілем. Отримання значень глибин залягання меж шарів.
автореферат, добавлен 29.07.2015 Вивчення пружніх властивостей кристалів, роль акустичних збуджень при фазових переходах. Розрахунок фононних спектрів та фазових переходів в сеґнетоелектриках. Особливості хімічного зв’язку при переході від кристалів з об’ємною морфологією до шаруватих.
автореферат, добавлен 25.08.2014Структурні особливості вихорових ґраток. Виявлення структурних фазових переходів у змішаному стані в шаруватих надпровідниках і тонких плівках. Порівняння структури вихорових ґраток у шаруватих системах з абрикосівськими однорідних надпровідників II роду.
автореферат, добавлен 25.06.2014Аналіз електронно-польової емісії з кремнієвих структур типу Si-SiO2-d(Si)-SiO2 і Si-SiO2-d (Cs), вкритих плівками з дельта-легованим шаром. Емісійні властивості кремнієвих вістрійних емітерних матриць вкритих багатошаровими та алмазо-подібними плівками.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження коливальних спектрів в шаруватих кристалах рідкісноземельних молібдатів, зв’язок низькоенергетичних електронних збуджень іонів з коливаннями кристалічної ґратки. Особливості поведінки ян-теллерівських систем при збудженні мікрохвильовим полем.
автореферат, добавлен 24.06.2014Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015- 21. Особливості діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектриках CuInP2S(Se)6
Знайомство з особливостями діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектриках CuInP2S(Se)6. Розгляд способів забезпечення умов стехіометричності для кристалів CuInP2S(Se)6. Загальна характеристика дефектів кристалічної гратки.
статья, добавлен 27.12.2016 Дослідження впливу плоских дефектів на динамічні характеристики сильно анізотропних шаруватих кристалів, вивчення особливостей локалізації коливань у складних багатошарових сполуках. З’ясування особливостей фононних спектрів складних шаруватих систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Теорія електронного та екситонного спектра у надгратці циліндричних напівпровідникових квантових точок. Теорія активної провідності та її залежність від геометричних параметрів циліндричної напівпровідникової двобар’єрної резонансно-тунельної структури.
автореферат, добавлен 27.07.2015Перебудова електронних рівнів з дислокаціями. Перерозподіл електронної густини в широкозонних легованих напівпровідниках з дислокаціями. Зміни випрямних властивостей дислокаційного бар’єру під впливом самоузгодженого електрон-деформаційного зв’язку.
автореферат, добавлен 29.07.2014Встановлення фізичної суті механізму дегідроксилації (руйнування структурних ОН-груп) на атомному рівні в типових шаруватих OH-вміщуючих матеріалах при зовнішніх впливах. Дослідження впливу постійного електричного поля на дегідроксилацію таких структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014