Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур
Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
Подобные документы
Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Общая характеристика оптических квантовых генераторов, история их создания и назначение. Физическая основа работы лазера, уникальные свойства данного вида излучения. Описание свойств некоторых твердотельных лазеров - волоконных и полупроводниковых.
контрольная работа, добавлен 29.05.2013Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Определение понятия и принципов работы лазера. Описание процесса усиления света в оптическом мазере посредством вынужденного излучения множества атомов. Рассмотрение основных достоинств газовых, полупроводниковых, жидкостных и твердотельных лазеров.
реферат, добавлен 30.11.2015Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Особенности лазерного излучения и методы его получения, теоретические основы лазерных технологических процессов, их классификация и перспективы развития. Характеристика и принцип работы газовых и полупроводниковых лазеров, область их применения.
реферат, добавлен 07.08.2010Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
статья, добавлен 29.05.2017Внедрение лазерной техники во все отрасли народного хозяйства. В основу работы лазеров положено явление усиления электромагнитных колебаний при помощи вынужденного излучения атомов и молекул. История открытия явления. Сущность физического применения.
реферат, добавлен 01.12.2008Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009- 13. Лазеры
Создание лазера как одно из крупнейших достижений науки XX века. Принцип действия и назначение лазеров. Схема рубинового лазера и его энергетических уровней. Области применения лазеров в промышленности, информационных технологиях, химии и медицине.
реферат, добавлен 11.11.2008 Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Сведения о волоконной оптике. Распространение света в оптоволокне. Потери при этом процессе. Элементы и характеристики волоконных лазеров. Активные добавки волоконных световодов. Фотоиндуцированные решетки показателя преломления. Составные ВКР-лазеры.
курсовая работа, добавлен 05.03.2015Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.
автореферат, добавлен 27.07.2018Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
дипломная работа, добавлен 12.11.2014Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Разработка инновационного подхода для преобразования наноразмерной механической энергии в электрическую энергию массивами пьезоэлектрических нанопроволок оксида цинка. Возможные виды конфигураций контакта между нанопроволкой и зигзагообразным электродом.
презентация, добавлен 12.08.2015Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014