Технологія напівпровідникових гетероструктур на основі органічних та неорганічних матеріалів для електрооптичних елементів мікроелектроніки
Електрооптичні та фотовольтаїчні елементи мікроелектроніки на основі нанорозмірних плівок електропровідних полімерів поліортометоксианіліну. Термовакуумне напилення молекулярних напівпровідників. Фоточутливі гетероструктури та їх фізичні властивості.
Подобные документы
Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Структура, фазовий склад та властивості тонких плівок на основі FePt. Застосування тонких плівок на основі FePt в мікроелектроніці. Основні методи впливу на структуру та властивості тонких плівок на основі FePt. Застосування методу in situ резистометрії.
диссертация, добавлен 02.10.2018Технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур. Одноелектронний турнікет. Методи синтезу напівпровідників та їх полі- і монокристалів та шарів цих матеріалів на підкладках. Властивості тунелювання, потенційних бар’єрів, хвилевої функції.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Вивчення впливу низькотемпературного відпалу на спектри ядерного квадрупольного резонансу і характеристики гетерофотодіодів на основі моноселенідів індію та галію. Встановлення оптимального режиму термообробки вихідних матеріалів та їх гетероструктур.
автореферат, добавлен 20.07.2015Розробка технологічних термообробок кристалічних сполук АIIВVI для керованої зміни їх оптичних і електрофізичних властивостей з метою застосувань в оптоелектроніці. Оптимальні режими отримання структурно досконалих однорідних плівок ZnO оптичної якості.
автореферат, добавлен 06.07.2014Методи математичного моделювання дозиметричних властивостей неохолоджуваних напівпровідникових детекторів. Розробка моделі процесів, що протікають в напівпровідникових детекторах при взаємодії з випромінюванням. Метод вимірювання дози випромінювання.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 8. Радіовимірювальні перетворювачі для визначення товщини плівок на основі пристроїв з від’ємним опором
Дослідження властивостей радіовимірювальних перетворювачів для визначення товщини плівок на основі пристроїв з від’ємним опором. Розрахунок динамічних характеристик перетворювачів з врахуванням залежності параметрів елементів пристроїв від впливу товщини.
автореферат, добавлен 30.07.2015 Розробка терморезисторних елементів струмового захисту радіоелектронної апаратури на основі керамічних напівпровідникових композитів CuxNi1-x-yCo2yMn2-уO4. Дослідження термокомпозиційних особливостей їх отримання, статистичної моделі терморезисторів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Розробка способів отримання надтонких плівок та їх стабілізації в невакуумних умовах. Вимірювання параметрів засобами сканувальної тунельної та атомно-силової мікроскопії. Виготовлення нанозазорів для створення планарних комірок в органічних плівках.
автореферат, добавлен 14.07.2015Розробка математичних моделей для опису механічних коливальних процесів паяних силових напівпровідникових приладів. Дослідження механічних динамічних характеристик паяних силових кремнієвих діодів та тиристорів, які широко застосовуються в електротехніці.
автореферат, добавлен 23.11.2013Особливості кристалічної структури, "хімічні" надпровідники. Одержання одно- і двошарових плівок з абеляційної плазми, ініційованої лазерною дією. Метод магнетронного напилення. Сквіди як сенсори енергії. Метрологія та квантова обробка інформації.
курсовая работа, добавлен 09.05.2010- 15. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Оптимізація структури елементів і пристроїв обчислювальної техніки на основі спільного використання класичного і альтернативних форм проектування. Розробка засобів оптимізації цифрових блоків на основі ізоморфізму логічних та кусково-постійних функцій.
автореферат, добавлен 22.06.2014Властивості стаціонарного проходження електричного струму між електродами у вакуумі. Розробка типів джерел плазми й іонів та плазмових прискорювачів з електродом, що однорідно випаровується у вакуумі; методів термоіонного напилення плівок і покриттів.
автореферат, добавлен 11.11.2013Аналіз сучасного стану мікроелектроніки та інтегрованих мікросхем. Особливості використання інформаційних технологій в сучасній мікроелектроніці. Перспективи та переваги застосування інформаційних технологій в мікроелектроніці в економіках країн світу.
реферат, добавлен 11.12.2017Розробка основних схем і дослідження твердотілих інтегральних сенсорних пристроїв на двохколекторних латеральних магнітотранзисторах на основі біполярної технології. Комплексна оцінка впливу технологічних чинників на параметри магнітосенсорних пристроїв.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження імітансних характеристик комбінованих динамічних негатронів на основі польового транзистора Шоттки в діапазоні частот при різних значеннях перетворюваного імітансу. Вивчення особливостей активних фільтрів, генераторів гармонійних коливань.
автореферат, добавлен 26.09.2014Дослідження та визначення перспектив розвитку вакуумного та твердотільного чутливих елементів у рентгенівських телевізійних системах неруйнівного контролю. Розробка цифрової нелінійної моделі генерації випромінювання імпульсними рентгенівськими трубками.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз процесу перетворення оптичного опромінювання в електричні сигнали. Пристрої обробки інформації. Дослідження транзисторних комбінованих елементів і пристроїв автоматики. Коефіцієнти максимально-досяжного підсилення потужності та стійкості УПІ.
автореферат, добавлен 10.09.2014Вакуумний метод отримання напiвпровiдникових плівок моносульфіду самарію. Електрофізичні властивості та рекомбінаційні параметри плівкових структур. Можливість управління метрологічними характеристиками тензорезистора за допомогою прикладеної напруги.
автореферат, добавлен 12.02.2014Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Підвищення ефективності автоматизованого проектування напівпровідникових перетворювачів електроенергії. Принципи побудови аналогових макромоделей силових елементів і пристроїв систем керування. Макромоделювання силової електроніки "Перетворювач".
автореферат, добавлен 29.08.2014